三维集成电路制造技术

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“集成电路系列丛书”编委会

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“集成电路系列丛书·集成电路制造”编委会

“集成电路系列丛书”主编序言

前言

作者简介

第1章 绪论

1.1 集成电路发展历程

1.1.1 晶体管的发明

1.1.2 集成电路

1.1.3 摩尔定律和PPAC

1.1.4 技术代演化

1.2 三维集成技术发展趋势

1.2.1 先进制造技术

1.2.2 新型三维逻辑器件

1.2.3 新型三维存储器件

1.2.4 三维封装技术

1.3 三维集成技术面临的挑战

1.4 阅读指引

参考文献

第2章 三维集成电路制造基础

2.1 三维器件模型

2.2 三维器件光刻工艺

2.2.1 光刻工艺原理

2.2.2 先进光刻工艺在三维器件集成中的应用

2.2.3 光刻工艺在三维器件集成中面临的挑战

2.3 三维器件薄膜工艺

2.3.1 薄膜工艺种类及原理

2.3.2 薄膜工艺在三维器件集成中的应用

2.3.3 薄膜工艺在三维器件集成中面临的挑战

2.4 三维器件刻蚀工艺

2.4.1 刻蚀工艺原理

2.4.2 刻蚀工艺在三维器件集成中的应用

2.4.3 刻蚀工艺在三维器件集成中面临的挑战

2.5 三维器件离子注入与热退火工艺

2.5.1 离子注入与热退火原理

2.5.2 离子注入与热退火工艺在三维器件集成中的应用

2.5.3 离子注入与热退火工艺在三维器件集成中面临的挑战

2.6 三维器件清洗工艺

2.6.1 清洗及湿法刻蚀工艺原理

2.6.2 清洗工艺在三维器件集成中的应用

2.6.3 清洗工艺在三维器件集成中面临的挑战

2.7 三维器件化学机械平坦化工艺

2.7.1 化学机械平坦化工艺原理

2.7.2 化学机械平坦化工艺在三维器件集成中的应用

2.7.3 化学机械平坦化工艺在三维器件集成中面临的挑战

参考文献

第3章 三维FinFET器件技术

3.1 三维FinFET器件

3.1.1 器件原理

3.1.2 结构设计与工艺仿真

3.2 三维FinFET关键技术模块

3.2.1 体硅Fin制备工艺

3.2.2 浅槽隔离

3.2.3 三维栅极与侧墙结构

3.2.4 外延与沟道应变工程

3.2.5 三维高κ金属栅技术

3.2.6 低阻接触技术

3.3 集成工艺与特性优化

3.3.1 工艺集成与器件特性

3.3.2 特性优化技术

3.4 新型FinFET器件

3.4.1 体硅介质隔离FinFET器件

3.4.2 S-FinFET器件

参考文献

第4章 纳米环栅器件技术

4.1 纳米环栅器件

4.1.1 水平堆叠纳米环栅器件

4.1.2 其他纳米环栅器件

4.2 纳米环栅器件关键技术模块

4.2.1 多周期叠层外延技术

4.2.2 内侧墙技术

4.2.3 沟道释放技术

4.2.4 沟道应变技术

4.2.5 源漏接触技术

4.2.6 自对准栅极技术

4.3 纳米环栅器件集成工艺

4.3.1 水平堆叠纳米环栅器件集成工艺

4.3.2 工艺波动影响

4.3.3 多阈值调控

4.3.4 高迁移率沟道纳米环栅器件集成工艺

4.3.5 垂直纳米环栅器件集成工艺

参考文献

第5章 三维NAND闪存技术

5.1 三维NAND闪存器件及结构

5.1.1 NAND闪存器件原理

5.1.2 平面NAND闪存器件发展的挑战

5.1.3 三维NAND闪存结构设计

5.2 集成工艺及关键技术模块

5.2.1 层膜沉积和台阶工艺

5.2.2 沟道孔模块

5.2.3 隔离模块

5.2.4 接触孔模块

5.2.5 三维NAND集成工艺

5.3 三维NAND工作特性及可靠性

5.3.1 三维NAND工作特性