1.2.3 新型三维存储器件

在集成电路存储器方面，主流的动态随机存储器（Dynamic Random Access Memory, DRAM）、非易失性存储器（Non-Volatile Memory, NVM）将通过器件微缩、垂直层数增加等技术，进一步提升存储容量。同时，为了避免由于物理尺寸减小引起的电荷随机起伏，基于非电荷控制的新兴存储技术将快速发展。其中，铁电存储器（Ferroelectric Random Access Memory, FRAM）具有高速、低功耗、高可靠性的优点，有望在低功耗、人工智能等领域得到应用［21］；磁随机存储器（Magnetic Random Access Memory, MRAM）将发展新的工作机制［22］，有望取代传统嵌入式闪存和逻辑电路中的三级静态缓存等；相变随机存储器（Phase Change Random Access Memory, PCRAM）［23］、阻变随机存储器（Resistance Random Access Memory, RRAM）［24］等也将利用结构简单等优点，在X-Point等新架构中得到更好的应用。此外，面向高性能计算、人工智能等应用的未来存储器技术，将结合三维VLSI集成方案，发展存算一体/近存计算等非冯·诺依曼的新型计算体系架构。因具备高电子迁移率、低亚阈值摆幅、低关态电流等优异特性，以及沉积工艺温度低的特点，沟道材料IGZO（In-Ga-Zn-O）在三维存储和集成技术中具有很大发展潜力，近年来得到了广泛研究和关注。