更新时间：2018-12-28 14:24:13
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前言
主要参数符号表
第1章 集成电路器件与模型
1.1 PN结与二极管
1.1.1 半导体与PN结
1.1.2 PN结二极管基本原理
1.1.3 集成化的肖特基势垒二极管
1.2 MOS晶体管及模型
1.2.1 MOS晶体管基本工作原理
1.2.2 MOS晶体管大信号模型及体效应
1.2.3 MOS晶体管小信号模型
1.2.5 MOS晶体管的短沟道效应
1.3 双极型晶体管及模型
1.3.1 Bipolar晶体管基本工作原理
1.3.2 Bipolar晶体管大信号模型
1.3.3 Bipolar晶体管小信号模型
1.4 集成电路无源元件
1.4.1 CMOS集成电容
1.4.2 CMOS集成电阻
1.5 MOSSpice器件模型
1.5.1 Spice Level 1模型
1.5.2 Spice Level 2模型
1.5.3 Spice Level 3模型
1.5.4 Spice BSIM3V3模型
习题一
第2章 集成电路制造技术
2.1 集成电路基本制造技术
2.1.1 硅晶圆的制造
2.1.2 氧化技术
2.1.3 扩散与离子注入
2.2 基本CMOS工艺与器件结构
2.2.1 基本n阱/双阱CMOS工艺步骤
2.2.2 CMOS版图设计规则
2.3 基本Bipolar工艺与器件结构
2.3.1 PN结隔离与基本工序步骤
2.3.2 Bipolar版图设计规则
2.3.3 Bipolar工艺的光刻版次
2.4 基本BiCMOS工艺
2.4.1 以CMOS工艺为基础的BiCMOS工艺
2.4.2 以Bipolar工艺为基础的BiCMOS工艺
2.4.3 典型的BiCMOS的光刻版次
习题二
第3章 晶体管—晶体管逻辑（TTL）电路
3.1 六管单元TTL与非门
3.1.1 工作原理
3.1.2 电压传输特性
3.1.3 瞬态特性
3.1.4 电路特点
3.2 STTL和LSTTL电路
3.2.1 STTL电路
3.2.2 LSTTL电路
3.3 TTL门电路逻辑扩展
3.4 简化逻辑门
3.4.1 简化逻辑门
3.4.2 单管逻辑门
习题三
第4章 发射极耦合逻辑与集成注入逻辑电路
4.1 ECL电路
4.1.1 基本工作原理
4.1.2 射极耦合电流开关
4.1.3 射极输出器
4.1.4 参考电压源
4.1.5 ECL逻辑扩展
4.2 I2L电路
4.2.1 I2L电路单元工作原理
4.2.2 I2L电路特性分析
4.2.3 I2L电路逻辑组合
4.2.4 I2L与TTL之间的接口电路
4.3 ECL和I2L工艺与版图设计
4.3.1 ECL电路工艺与版图设计
4.3.2 I2L电路工艺与版图设计
习题四
第5章 双极模拟集成电路
5.1 Bipolar基本放大器
5.1.1 Darlington放大器
5.1.2 双极差分放大器
5.2 Bipolar基本模拟电路单元
5.2.1 恒流源
5.2.2 有源负载
5.2.3 基准源电路
5.3 Bipolar输出级电路
5.3.1 射极跟随器输出电路
5.3.2 AB类输出电路
5.4 Bipolar运算放大器（μA741）
习题五
第6章CMOS基本逻辑电路
6.1 CMOS逻辑门电路
6.1.1 CMOS反相器
6.1.2 CMOS门电路
6.1.3 CMOS组合逻辑电路
6.2 CMOS传输门逻辑
6.2.1 CMOS传输门
6.2.2 CMOS传输门逻辑电路
6.3 CMOS触发器
6.3.1 CMOSRS触发器
6.3.2 CMOSD触发器
6.4 CMOS多米诺逻辑
6.5 CMOS施密特触发器
