1.5.2 Spice Level 2模型

当沟道长度较小时，MOS管的各种高阶效应表现的比较明显，在沟道长度约小于4μm时，Level 1模型就表现出较大缺陷了，Level 2模型就是为了表示许多高阶效应所建立的。

Level 2模型考虑到了沿沟道区阈值电压的变化，不再只是用参数λ对沟道长度调制效应进行模拟，而且可以通过计算间断点和漏区边缘间的耗尽层宽度得到。另外Level 2模型也考虑到了沟道区垂直电场引起的迁移率退化，阈值电压随沟道长度的变化，速度饱和效应等。

对于工作在饱和区的宽而短的器件（L≈0.7μm），此模型能够提供合理的I/V精度，但是在提供输出阻抗等方面存在相当大误差。而对窄而长的器件，该模型不再适用。