此模型采用如表1.3所列的参数，在一定程度上考虑到了沟道长度调制效应和体效应，但是不包括亚阈值传导和任何短沟道效应，其基于以下等式进行参数提取。
线性区
饱和区
式中，；VTH0表示S和B端短路时的阈值电压。
表1.3 NMOS和PMOS器件的Level1 Spice模型（0.5μm工艺）
表1.4给出了表1.3中部分参数符号的定义。
表1.4 表1.3中部分参数的定义
；VTH0表示S和B端短路时的阈值电压。
