计算光刻与版图优化

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内容简介

前言

第1章 概述

1.1 集成电路的设计流程和设计工具

1.2 集成电路制造流程

1.3 可制造性检查与设计制造协同优化

本章参考文献

第2章 集成电路物理设计

2.1 设计导入

2.2 布图与电源规划

2.3 布局

2.4 时钟树综合

2.5 布线

2.6 签核

本章参考文献

第3章 光刻模型

3.1 基本的光学成像理论

3.2 光刻光学成像理论

3.3 光刻胶模型

3.4 光刻光学成像的评价指标

本章参考文献

第4章 分辨率增强技术

4.1 传统分辨率增强技术

4.2 多重图形技术

4.3 光学邻近效应修正技术

4.4 光源-掩模联合优化技术

本章参考文献

第5章 刻蚀效应修正

5.1 刻蚀效应修正流程

5.2 基于规则的刻蚀效应修正

5.3 基于模型的刻蚀效应修正

5.4 EPC修正策略

5.5 非传统的刻蚀效应修正流程

5.6 基于机器学习的刻蚀效应修正

本章参考文献

第6章 可制造性设计

6.1 DFM的内涵和外延

6.2 增强版图的健壮性

6.3 与光刻工艺关联的DFM

6.4 与CMP工艺关联的DFM

6.5 DFM的发展及其与设计流程的结合

6.6 提高器件可靠性的设计（DFR）

6.7 基于设计的测量与DFM结果的验证

本章参考文献

第7章 设计与工艺协同优化

7.1 工艺流程建立过程中的DTCO

7.2 设计过程中的DTCO

7.3 基于版图的良率分析及坏点检测的DTCO

本章参考文献