更新时间：2018-12-27 16:21:33
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前言
第1章 半导体芯片制造概述
1.1 半导体工业发展概述
1.2 半导体材料基础
1.2.1 半导体材料的基本性质
1.2.2 半导体材料分类
1.2.3 晶体
1.3 半导体生产污染控制
1.3.1 污染物的种类
1.3.2 污染物引起的问题
1.3.3 超净间的建设
1.3.4 超净间标准
1.3.5 超净间的维护
1.4 纯水的制备
1.4.1 纯水在半导体生产中的应用
1.4.2 离子交换制备纯水
1.4.3 水的纯度测量
小结
第2章 多晶半导体的制备
2.1 工业硅的生产
2.1.1 硅的简介
2.1.2 工业硅的制备
2.2 三氯氢硅还原制备高纯硅
2.2.1 原料的制备
2.2.2 三氯氢硅的合成及提纯
2.2.3 三氯氢硅还原
2.2.4 还原尾气干法分离回收
2.3 硅烷热分解法制备高纯硅
2.3.1 硅烷概述
2.3.2 硅烷的制备及提纯
2.3.3 硅烷热分解
第3章 单晶半导体的制备
3.1 单晶硅的基本知识
3.1.1 晶体的熔化和凝固
3.1.2 结晶过程的宏观特征
3.1.3 结晶过程热力学
3.1.4 晶核的形成
3.1.5 二维晶核的形成
3.1.6 晶体的长大
3.2 直拉法制备单晶硅的设备及材料
3.2.1 直拉法制备单晶硅的设备
3.2.2 直拉单晶硅前的材料准备
3.2.3 直拉单晶硅前的材料清洁处理
3.3 直拉单晶硅的工艺流程
3.3.1 装炉前的准备
3.3.2 装炉
3.3.3 熔硅
3.3.4 引晶
3.3.5 缩颈
3.3.6 放肩和转肩
3.3.7 等径生长
3.3.8 收尾
3.3.9 停炉
3.4 拉单晶过程中的异常情况及晶棒检测
3.4.1 拉单晶过程中的异常情况
3.4.2 晶棒检测
3.4.3 硅晶体中杂质的均匀性分析
3.5 悬浮区熔法制备单晶硅
3.6 化合物半导体单晶的制备
3.6.1 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体单晶的制备
3.6.2 Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体单晶的制备
第4章 晶圆制备
4.1 晶圆制备工艺
4.1.1 截断
4.1.2 直径滚磨
4.1.3 磨定位面
4.1.4 切片
4.1.5 磨片
4.1.6 倒角
4.1.7 抛光
4.2 晶圆的清洗、质量检测及包装
4.2.1 晶圆的清洗
4.2.2 晶圆的质量检测
4.2.3 包装
4.2.4 追求更大直径晶圆的原因
第5章 薄膜制备
5.1 氧化法制备二氧化硅膜
5.1.1 二氧化硅的性质
5.1.2 二氧化硅的作用
5.1.3 热氧化法制备二氧化硅膜
5.1.4 二氧化硅膜的检测
5.2 化学气相沉积法制备薄膜
5.2.1 化学气相沉积概述
5.2.2 化学气相沉积的主要反应类型
5.2.3 化学气相沉积反应的激活能
5.2.4 几种薄膜的CVD制备
5.3 物理气相沉积法制备薄膜
5.4 金属化及平坦化
5.4.1 金属化
5.4.2 平坦化
第6章 金属有机物化学气相沉积
6.1 金属有机物化学气相沉积概述
6.1.1 金属有机物化学气相沉积简介
6.1.2 金属有机物化学气相沉积反应机理
