1.4 碳基晶体管

进入21世纪以来，尽管学术界和产业界不断引入先进的解决方案［应变硅（Strained Si）］技术、高k金属栅（high-k metal gate）技术、鳍式晶体管技术（FinFET），从细分技术领域到晶体管结构进行优化、创新，但硅基晶体管特征尺寸的微缩速度仍在持续降低，微缩收益也在逐渐收窄。硅基晶体管和集成电路也逐渐接近其物理极限和工程极限，传统硅基晶体管尺寸获将在1nm工艺节点上走向终结。因此，业界在艰难发展硅基晶体管技术的同时，也将其目光和精力集中到新材料和新器件的探索中，以求在后摩尔时代延续半导体产业的进步。在众多新型半导体材料中，碳纳米管（Carbon Nanotube，CNT）由于其独特的准一维结构和优异的电学性质而受到了业界的高度重视。基于碳纳米管构建的碳纳米管场效应晶体管（Carbon Nanotube Field Effect Transistor，CNTFET）也在2009年被国际半导体路线图委员会推荐为未来集成电路材料的重要选择。