CMOS集成电路闩锁效应
上QQ阅读APP看书,第一时间看更新

第1章 引言

闩锁效应(Latch-up)存在于体CMOS集成电路中,它一直是CMOS集成电路可靠性的一个潜在的严重问题,随着CMOS工艺技术的不断发展,工艺技术日趋先进,集成电路器件的特征尺寸越来越小,并且器件间的间距也越来越小,器件密度越来越大,集成电路的闩锁效应变得越来越严重,特别是在IO(输入、输出和输入/输出)电路中。

本章着重介绍闩锁效应出现的背景和概况。