3.5 CMOS集成逻辑门电路
以MOS管作为开关元件的门电路称为MOS门电路。由于MOS门电路具有制造工艺简单、集成度高、功耗小及抗干扰能力强等优点,所以在数字集成电路产品中占有相当大的比例。与TTL门电路相比,MOS门电路的主要缺点是工作速度低。
MOS门电路有3种类型:使用P沟道管的PMOS电路;使用N沟道管的NMOS电路;用P沟道管和N沟道管组合而成的CMOS电路。当前,CMOS逻辑门是应用比较广泛的逻辑电路之一。本节仅对CMOS电路进行讨论。
3.5.1 CMOS反相器(非门)
图3-13所示为由一个N沟道增强型MOS管和一个P沟道增强型MOS管构成的CMOS反相器。两管的栅极连接起来作为输入端,两管的漏极连接起来作为输出。N沟道管的源极接地,P沟道管的源极接电源UDD。
由图可见,若输入电压UI<UTN(UTN为N沟道管的开启电压,约为+2V)则VT1截止,T2导通,输出UO=UDD=“1”。若UI>UDD-|UTP|(UTP为P沟道管的开启电压,约为-2V)则VT1导通,VT2截止,输出UO=0V=“0”。因此实现了“非”的逻辑功能。
3.5.2 CMOS与非门
图3-14所示是一个两输入端的CMOS与非门电路,它由两个并行连接的PMOS管和两个串行连接的NMOS管构成。两个输入端均分别由一个PMOS和一个NMOS的栅极相连而得。当输入A、B中至少有一个为“0”时,对应的NMOS管中至少有一个是截止的,PMOS管中至少有一个是导通的,输出F=“1”;当输入A、B均为高电平时,NMOS管都导通,而PMOS管均截止,输出F=“0”。故该电路实现了“与非”逻辑功能。
图3-13 CMOS反相器电路
图3-14 CMOS与非门电路
3.5.3 CMOS或非门
图3-15所示是一个两输入端的CMOS或非门电路,它由两个并联的NMOS管和两个串联的PMOS管构成。两个输入端均分别由一个PMOS和一个NMOS的栅极相连而得。当输入A、B中至少有一个为“1”时,则对应的NMOS管中必有一个是导通的,PMOS管中至少有一个截止,使F=“0”;当输入A、B均为“0”时,NMOS管均截止,PMOS管均导通,使F=“1”。故该电路实现了“或非”功能。
3.5.4 CMOS三态门
图3-16所示是一个低电平使能控制的三态非门电路,该电路实际就是在CMOS非门的基础上增加了一个反相器、一个NMOS管和一个PMOS管构成的。当使能控制端时,VT1和VT4同时导通,非门正常工作,实现的功能;当使能控制端时,VT1和VT4均截止,使输出呈高阻状态。
图3-15 CMOS或非门电路
图3-16 CMOS三态门电路
3.5.5 CMOS漏极开路输出门(OD门)
图3-17a和图3-17b所示是漏极开路输出的与非门的电路结构和逻辑符号,和OC门一样,工作时也必须外接上拉电阻,电路才能工作,同样OD门也可实现“线与”,通过改变上拉电阻所接的电源也可实现电平转换。图3-18所示是两个OD门实现“线与”连接的电路图。
图3-17 CMOS漏极开路门
图3-18 OD门实现“线与”连接
3.5.6 CMOS传输门
图3-19a所示是一个CMOS传输门的电路图,它由一个NMOS管和一个PMOS管并接而成,其逻辑符号如图3-19b所示。
图3-19 CMOS传输
图中,两管的源极连接在一起作为传输门的输入端,漏极连接在一起作为输出端。NMOS管的衬底接地,PMOS管的衬底接电源,两管的栅极分别与一对互补的控制信号C和相连。由于MOS管的结构是对称的,所以信号可以双向传输。传输门实际是一种可以传送模拟信号和数字信号的压控开关。
当C=“1”,=“0”时,若输入信号UI在0V~UDD范围内变化,则两管中至少有一个是导通的,输入和输出之间呈低阻状态,相当于开关接通,输入信号可通过传输门到达输出端。
当C=“0”,=“1”时,输入信号UI在0V~UDD范围内变化,由于两管始终处于截止状态,输入和输出之间是断开的。
传输门导通时,其导通内阻只有几百欧;截止时,其关断电阻在109Ω以上。