3.传感电子有限责任公司诉专利复审委员会及宁波讯强电子科技有限公司发明专利权无效行政纠纷[10]
中华人民共和国北京市高级人民法院行政判决书
（2013）高行终字第961号
上诉人（原审原告）：传感电子有限责任公司，住所地美利坚合众国佛罗里达州博卡拉顿亚玛多路1501号。
法定代表人：丹尼尔·麦克格拉斯，副总裁兼助理秘书。
委托代理人：吴丽丽，中国国际贸易促进委员会专利商标事务所专利代理人。
委托代理人：杨国权，中国国际贸易促进委员会专利商标事务所专利代理人。
被上诉人（原审被告）：中华人民共和国国家知识产权局专利复审委员会，住所地中华人民共和国北京市海淀区北四环西路9号银谷大厦10－12层。
法定代表人：张茂于，副主任。
委托代理人：王荣，中华人民共和国国家知识产权局专利复审委员会审查员。
委托代理人：万琦，中华人民共和国国家知识产权局专利复审委员会审查员。
原审第三人：宁波讯强电子科技有限公司，住所地中华人民共和国浙江省宁波市北仑明州西路505号。
法定代表人：李霖，总经理。
委托代理人：郝传鑫，广州三环专利代理有限公司专利代理人。
上诉人传感电子有限责任公司（简称传感电子公司）因发明专利权无效行政纠纷一案，不服中华人民共和国北京市第一中级人民法院（简称北京市第一中级人民法院）（2012）一中知行初字第2111号行政判决，向本院提出上诉。本院于2013年3月28日受理后，依法组成合议庭，于2013年11月14日公开开庭审理了本案。上诉长传感电子公司的委托代理人吴丽丽、杨国权，被上诉人中华人民共和国国家知识产权局专利复审委员会（简称专利复审委员会）的委托代理人王荣、万琦，原审第三人宁波讯强电子科技有限公司（简称讯强公司）的法定代表人李霖及委托代理人郝传鑫到庭参加了诉讼。本案现已审理终结。
北京市第一中级人民法院经审理查明：
本专利系中华人民共和国国家知识产权局（简称国家知识产权局）于2003 年12月10日授权公告的名称为“具有低矫顽磁力特性的偏磁元件的磁力式电子货品监视用标识器”的第97197519.1号发明专利，其优先权日为1996年8 月28日，申请日为1997年8月21日，专利权人为传感电子公司。本专利授权公告的权利要求书如下：
“1.一种使用在磁力式电子货品监视系统中的标识器，包括：（a）一个非结晶型磁致伸缩元件；（b）一个配置在与所述磁致伸缩元件相邻接位置处的偏磁元件，其特征在于所述标识器有随退活化磁场变化的共振频率漂移特性，漂移梯度大于100Hz/Oe。
2.一种如权利要求1所述的标识器，其特征在于所述的标识器的随退活化磁场变化的共振频率漂移特性的梯度大于200Hz/Oe。
3.一种如权利要求2所述的标识器，其特征在于所述的标识器的随退活化磁场变化的共振频率漂移特性的梯度大于400Hz/Oe。
4.一种使用在磁力式电子货品监视系统中的标识器，包括：
（a）一个非结晶型磁致伸缩元件；（b）一个配置在与所述磁致伸缩元件相邻接位置处的偏磁元件，其特征在于所述的偏磁元件由具有小于55 Oe的矫顽磁力Hc的半硬化磁性材料制成。
5.一种如权利要求4所述的标识器，其特征在于所述偏磁元件具有AC退磁化磁场特性，当所述偏磁元件处于完全磁化状态并且曝露在具有峰值幅度为4 Oe的AC磁场Hms中时，所述偏磁元件的磁化水平至少保持在完全磁化水平的95％以上。
6.一种如权利要求4所述的标识器，其特征在于所述偏磁元件由具有小于40 Oe的矫顽磁力Hc的半硬化磁性材料制成。
7.一种如权利要求6所述的标识器，其特征在于所述偏磁元件由具有小于20 Oe的矫顽磁力Hc的半硬化磁性材料制成。
8.一种如权利要求7所述的标识器，其特征在于所述偏磁元件具有AC退磁化磁场特性，当所述偏磁元件处于完全磁化状态并且曝露在具有峰值幅度为4 Oe的AC磁场Hms中时，所述偏磁元件的磁化水平至少保持在完全磁化水平的95％以上。
9.一种使用在磁力式电子货品监视系统中的标识器，包括：（a）一个非结晶型磁致伸缩元件；（b）一个配置在与所述磁致伸缩元件相邻接位置处的偏磁元件，其特征在于所述偏磁元件由具有DC磁化磁场特性的半硬化磁性材料制成，使所述偏磁元件达到饱和所需要的DC磁场Ha小于350 Oe。
10.一种如权利要求9所述的标识器，其特征在于所述偏磁元件具有AC退磁化磁场特性，当所述偏磁元件处于完全磁化状态并且曝露在具有峰值幅度为4 Oe的AC磁场Hms中时，所述偏磁元件的磁化水平至少保持在完全磁化水平的95％以上。
11.一种如权利要求10所述的标识器，其特征在于所述的DC磁化特性使所述偏磁元件达到饱和所需要的DC磁场Ha小于200 Oe。
12.一种如权利要求11所述的标识器，其特征在于所述的DC磁化特性使所述偏磁元件达到饱和所需要的DC磁场Ha小于150 Oe。
13.一种如权利要求12所述的标识器，其特征在于所述的DC磁化特性使所述偏磁元件达到饱和所需要的DC磁场Ha小于50 Oe。
14.一种使用在磁力式电子货品监视系统中的标识器，包括：
（a）一个非结晶型磁致伸缩元件；（b）一个配置在与所述磁致伸缩元件相邻接位置处的偏磁元件，其特征在于所述偏磁元件由具有AC退磁化磁场特性的半硬化磁性材料制成，当将其峰值幅度小于150 Oe的AC退磁化磁场Hmd施加在处于完全磁化状态的偏磁元件上时，所述偏磁元件退磁化至不超过完全磁化水平的5％的磁平。
15.一种如权利要求14所述的标识器，其特征在于所述偏磁元件具有AC退磁化磁场特性，当所述偏磁元件处于完全磁化状态并且曝露在具有峰值幅度为4 Oe的AC磁场Hms中时，所述偏磁元件的磁化水平至少保持在完全磁化水平的95％以上。
16.一种如权利要求15所述的标识器，其特征在于所述偏磁元件具有AC退磁化磁场特性，当所述偏磁元件处于完全磁化状态并且曝露在具有峰值幅度为20 Oe的AC磁场Hms中时，所述偏磁元件的磁化水平至少保持在完全磁化水平的95％以上。
17.一种如权利要求15所述的标识器，其特征在于所述偏磁元件的AC退磁化磁场特性使得将其峰值幅度小于100 Oe的AC退磁化磁场Hmd施加在处于完全磁化状态的偏磁元件上时，所述偏磁元件退磁化至不超过完全磁化水平的5％的磁平。
18.一种如权利要求17所述的标识器，其特征在于所述偏磁元件的AC退磁化磁场特性使得所述偏磁元件处于完全磁化状态并且曝露在具有峰值幅度为12 Oe的AC磁场Hmd中时，所述偏磁元件的磁化水平至少保持在完全磁化水平的95％以上。
19.一种如权利要求15所述的标识器，其特征在于所述偏磁元件的AC退磁化磁场特性使得将其峰值幅度小于30 Oe的AC退磁化磁场Hmd施加在处于完全磁化状态的偏磁元件上时，所述偏磁元件退磁化至不超过完全磁化水平的5％的磁平。
20.一种使用在磁力式电子货品监视系统中的标识器，包括：（a）一个非结晶型磁致伸缩元件；（b）一个配置在与所述磁致伸缩元件相邻接位置处的偏磁元件，其特征在于所述标识器的目标共振频率与所述电子货品监视用系统的操作频率相对应，所述标识器具有与退活化磁场相关的共振频率漂移特性，从而使得将所述标识器曝露在其峰值幅度为50 Oe以下的AC退活化磁场中时，所述标识器的共振频率相对于所述目标共振频率的漂移至少为1.5kHz。
21.一种如权利要求20所述的标识器，其特征在于所述与退活化磁场相关的共振频率漂移特性使得将所述标识器曝露在其峰值幅度为50 Oe以下的AC退活化磁场中时，所述标识器的共振频率相对于所述目标共振频率的漂移至少为2kHz。
22.一种如权利要求21所述的标识器，其特征在于所述与退活化磁场相关的共振频率漂移特性使得将所述标识器曝露在其峰值幅度为35 Oe以下的AC退活化磁场中时，所述标识器的共振频率相对于所述目标共振频率的漂移至少为2kHz。
23.一种如权利要求21所述的标识器，其特征在于所述与退活化磁场相关的共振频率漂移特性使得将所述标识器曝露在其峰值幅度为35 Oe以下的AC退活化磁场中时，所述标识器的共振频率相对于所述目标共振频率的漂移至少为1kHz。
24.一种如权利要求23所述的标识器，其特征在于所述与退活化磁场相关的共振频率漂移特性使得将所述标识器曝露在其峰值幅度为20 Oe以下的AC退活化磁场中时，所述标识器的共振频率相对于所述目标共振频率的漂移至少为1kHz。
25.一种使用在可以按预定频率发出呈间歇式脉冲串的标识器问询信号的磁力式电子货品监视用系统中的标识器，这种标识器包括：（a）一个非结晶型磁致伸缩元件；（b）一个配置在与所述磁致伸缩元件相邻接位置处的偏磁元件，其特征在于所述标识器的随退活化磁场变化的输出信号特性使得将该标识器曝露在峰值幅度低于35 Oe的AC退活化磁场中时，由所述标识器产生的A1输出信号水平将降低所述标识器曝露在所述退磁化磁场之前时产生的A1输出信号水平的至少50％，其中的A1输出信号是由标识器在施加在标识器处的问询信号脉冲结束后1毫秒时产生的信号。
26.一种如权利要求25所述的标识器，其特征在于所述偏磁元件具有AC退磁化磁场特性，当所述偏磁元件处于完全磁化状态并且曝露在具有峰值幅度为4 Oe的AC磁场中时，所述偏磁元件的磁化水平至少保持在完全磁化水平的95％以上。
27.一种如权利要求26所述的标识器，其特征在于所述标识器的随退活化磁场变化的输出信号特性使得将该标识器曝露在峰值幅度低于25 Oe的AC退活化磁场中时，由所述标识器产生的A1输出信号水平将降低所述标识器曝露在所述退磁化磁场之前时产生的A1输出信号水平的至少50％。
28.一种如权利要求26所述的标识器，其特征在于所述标识器的随退活化磁场变化的输出信号特性使得将该标识器曝露在峰值幅度低于30 Oe的AC退活化磁场中时，由所述标识器产生的A1输出信号水平将降低所述标识器曝露在所述退磁化磁场之前时产生的A1输出信号水平的至少75％。
29.一种如权利要求26所述的标识器，其特征在于所述标识器的随退活化磁场变化的输出信号特性使得将该标识器曝露在峰值幅度低于35 Oe的AC退活化磁场中时，由所述标识器产生的A1输出信号水平将降低所述标识器曝露在所述退磁化磁场之前时产生的A1输出信号水平的至少75％。
30.一种使用在磁力式电子货品监视系统中的标识器，包括：（a）一个非结晶型磁致伸缩元件；（b）一个配置在与所述磁致伸缩元件相邻接位置处的偏磁元件，其特征在于所述偏磁元件由具有AC退磁化磁场特性的半硬化磁性材料制成，从而使所述偏磁元件在完全磁化且未设置在所述标识器中时曝露在具有一定峰值幅度的AC磁场中时，所述AC磁场将使所述的偏磁元件的磁化水平产生明显降低，而且当所述偏磁元件被完全磁化且配置在所述标识器中与所述磁致伸缩元件相邻近的位置处，并且使所述偏磁元件在曝露在具有一定峰值幅度的AC磁场中时，所述磁致伸缩元件使磁通由所述偏磁元件处偏移开，从而使所述偏磁元件的磁化基本上不会受到所述AC磁场的影响。
31.一种如权利要求30所述的标识器，其特征在于所述偏磁元件由Metg1as 2605SB1材料形成。
32.一种如权利要求31所述的标识器，其特征在于所述偏磁元件由Metglas 2628MB材料形成。
33.一种如权利要求31所述的标识器，其特征在于所述非结晶型磁致伸缩元件由Metglas2628CoA材料形成。
34.一种如权利要求30所述的标识器，其特征在于所述偏磁元件由Vacozet材料形成。
35.一种如权利要求34所述的标识器，其特征在于所述非结晶型磁致伸缩元件由Metglas 2628CoA材料形成。
36.一种如权利要求30所述的标识器，其特征在于所述AC磁场的一定峰值幅度范围由5 Oe至15 Oe。
37.一种对使用在磁力式EAS系统中的EAS标识器实施活化和退活化用的方法，这种方法包括以下步骤：设置一个由一个非结晶型磁致伸缩元件和一个配置在与所述磁致伸缩元件相邻接位置处的偏磁元件构成的EAS标识器；磁化所述偏磁元件，使所述偏磁元件产生一个对所述磁致伸缩元件实施偏置的磁场，以便在所述EAS系统的运行频率下形成共振；通过将所述标识器曝露在其峰值幅度低于150 Oe的AC磁场中的方式，对所述EAS标识器实施退活化。
38.一种如权利要求37所述的方法，其特征在于当所述标识器曝露在其峰值幅度等于或低于4 Oe的AC磁场中时，所述标识器的共振特性不会发生变化。
39.一种如权利要求38所述的方法，其特征在于当所述标识器曝露在其峰值幅度等于或低于20 Oe的AC磁场中时，所述标识器的共振特性不会发生变化。
40.一种如权利要求38所述的方法，其特征在于所述的退活化步骤是通过将所述标识器曝露在其峰值幅度低于100 Oe的AC磁场中的方式实施的。
41.一种如权利要求40所述的方法，其特征在于当所述标识器曝露在其峰值幅度等于或低于12 Oe的AC磁场中时，所述标识器的共振特性不会发生变化。
42.一种如权利要求37所述的方法，其特征在于所述的退活化步骤是通过将所述标识器曝露在其峰值幅度低于30 Oe的AC磁场中的方式实施的。
43.一种如权利要求42所述的方法，其特征在于当所述标识器曝露在其峰值幅度等于或低于4 Oe的AC磁场中时，所述标识器的共振特性不会发生变化。
44.一种如权利要求37所述的方法，其特征在于所述的退活化步骤是通过将所述标识器曝露在其峰值幅度低于16 Oe的AC磁场中的方式实施的。
45.一种如权利要求44所述的方法，其特征在于当所述标识器曝露在其峰值幅度等于或低于6 Oe的AC磁场中时，所述标识器的共振特性不会发生变化。
46.一种如权利要求37所述的方法，其特征在于所述的磁化步骤是在将所述偏磁元件安装在所述标识器中之后实施的。
47.一种如权利要求37所述的方法，其特征在于所述的磁化步骤是在将所述偏磁元件安装在所述标识器中之前实施的。”
本专利说明书记载的背景技术为：
“在常规的磁力式EAS标识器中，偏磁元件是由诸如‘SemiVac 90’等等的半硬化磁性材料构成的，这类材料可以由德国Hanau的Vacuumschmelze处购得。SemiVac 90的矫顽磁力大约为70至80Oe。目前一般认为，偏磁元件的矫顽磁力至少要为60Oe，以防止在标识器的储存、运输或装卸时所可能会出现的磁场作用下而使配置磁铁意外地退磁化磁场中以达到99％的磁化饱和，并且需要接近200Oe的AC退磁化磁场实施95％的退磁化。
由于需要使用比较高的AC退活化磁场，所以产生AC退活化磁场的常规装置（诸如由本申请受让人销售的、商品品牌为“Rapid Pad2”和“Speed Station”的装置等等）必须按脉冲方式运行，以减少能量损耗，并满足管理规章的限值。然而由于AC磁场仅仅是以脉冲形式产生的，所以就必须确保标识器在退活化磁场脉冲出现时在该装置附近。目前已知的确保在产生有脉冲时标识器在退活化装置附近的技术包括，响应装置操作者的人工输入而产生出脉冲的技术，以及将标识器检测电路设置在退磁化装置中的技术等等。前一种技术是将这一负担加在操作该退活化装置的操作者的身上，而且这两种技术均对部件有一定的限制，这会增大退活化装置的成本。而且，以脉冲形式产生退活化磁场时还会使发出磁场用的线圈变热，所以还需要使装置中的电子部件有较高的质量，进而使成本进一步增大。将足够强的退活化磁场施加在标识器上的困难，还会由于不断增加着的‘源标记（source tagging）’通用操作而增大，即在生产过程中，在生产工厂或分配站点对商品的包装过程中，将EAS标识器固定于货品之上。而且在某些场合下，标识器可能会被定位粘结在商业制品上难以、甚至不可能与常规的退磁化装置相接近的位置。”
本专利说明书记载的发明目的及发明概述为：
“本发明的一个目的就是提供一种可以通过施加其强度比对常规磁力式标识器实施退活化用的强度更低的退活化磁场的方式实施退活化的磁力式EAS标识器。
本发明的另一个目的就是提供一种可以通过连续方式而不是以脉冲形式产生的磁场实施退活化的磁力式EAS标识器。
本发明的还一个目的就是提供一种可以在标识器与退活化装置之间的距离比常规磁力式标识器与常规退活化装置之间的距离更大的条件下实施退活化的磁力式标识器。
本发明的再一个目的就是提供一种可以比常规磁力式标识器更容易实施退活化的磁力式标识器。
本发明的又一个目的就是提供一种可以使用其强度比活化常规磁力式标识器用的磁场强度更低的DC磁场实施活化的磁力式标识器。
根据本发明所提供的原理，磁力式标识器是使用具有相当低的矫顽磁力特性的控制元件构成的，而且当施加有水平相当低的磁场时，标识器的共振频率也可以产生相当急剧的漂移。因此，本发明可以降低由标识器退活化装置所产生的磁场水平，进而使得可以产生连续的退活化磁场。因此，本发明不再需要在退活化装置中配置标识器检测电路，也不再需要由退活化装置的操作者在需要被退活化的标识器位于该退活化装置附近时，人工触发退活化磁场脉冲。”
本专利说明书中“对附图的简要说明”的记载为：
“图3与图2相类似，为表示一种根据本发明构造的磁力式标识器的共振频率和输出信号振幅与施加在该标识器上的退磁化磁场强度之间变化关系用的示意性曲线图。
图5为表示磁化水平与所施加的AC退活化磁场强度之间变化关系用的示意性曲线图，该AC退磁化磁场是施加在根据本发明构造的、在这一实例中被用作为磁力式标识器中的偏磁元件的完全磁化元件上的。
在图3中，参考标号24表示的是一种根据本发明构成的、采用MagnaDur材料制作偏磁元件的标识器的共振频率漂移特性曲线，该曲线随着所施加的退磁化磁场的变化而变化。曲线26表示的是一种根据本发明构成的标识器的输出信号特性曲线，该曲线也随着所施加的退磁化磁场的变化而变化。如曲线26所示的输出水平随按曲线24上的相应点处所示的共振频率产生的问询信号的变化而变化。
如图3所示的特性曲线中的一个重要特点在于，大约为60.5KHz的最大共振频率漂移可以在所施加的退磁化磁场强度低至大约35Oe时获得，如图3所示的频率漂移特性曲线24中的突变或称急剧变化也是相当明显的：在其突变点处，曲线24的变化梯度超过200Hz/Oe。与此不同，如图2所示的曲线20在任何一处的梯度均不超过大约60Hz/Oe。曲线20的梯度在其所有的点处都远低于100Hz/Oe。
图4和图5分别示出了制作本发明中的偏磁元件用的MagnaDur材料的磁化特性曲线和退磁化特性曲线。
在图4中，参考标号Mra表示的是对材料实施饱和磁化时用的水平，参考标号Ha表示的是在材料中产生饱和磁化时所需要的DC磁场强度。
正如图4所示，如果将大约为150Oe的DC磁化磁场施加在处于非磁化状态的MagnaDur材料上时，将使该材料基本上完全磁化。与此相对应的是，要使SemiVac 90材料产生完全磁化则需要水平为450Oe或更高的DC磁场。
在图5中，参考标号Mrs表示的是达到95％的磁化饱和时的磁化水平，参考标号Hms表示的是当其施加在处于饱和状态的材料上时，不会使该材料退磁化至饱和状态的95％以下的AC磁场的水平。而且，参考标号Mrd表示的是形成5％的饱和磁化时的磁化水平，参考标号Hmd表示的是当其施加在处于饱和状态的材料上时，将使该材料退磁化至饱和状态的5％以下的AC磁场的水平。
正如图5所示，如果将一个由MagnaDur材料制作的完全磁化偏磁元件放入100Oe的AC退磁化磁场中，将退磁化至完全磁化的5％以下。而且，MagnaDur材料对于所施加的AC磁场为大约20Oe或更低时具有一个“稳定”区域，这使得这种材料的磁化基本上不会受到所施加的、不高于20Oe的AC磁场的影响。因此，配置有作为偏磁元件的MagnaDur材料的标识器在环境磁场不超过20Oe时，将不会产生比较大的意外退磁化。
根据本发明构造的磁力式标识器，由于其中的偏磁元件是用诸如MagnaDur等等的、具有向当低的矫顽磁力特性的材料制作的，所以可以用比在常规条件下所需要的强度低得多的AC退活化磁场实施退活化。这使得根据本发明构造的标识器可以在不非常靠近退活化装置的位置处实施退活化，而对于在先技术则必须要非常靠近退活化装置的。因此，本发明实际上还提供了一种可以在比常规退活化装置低得多的水平下运行的退活化装置。由于退活化所需的水平比常规技术中的更低，所以可以使用速率更低的部件，并且可以连续的产生退活化磁场，而在常规的退活化装置中则必须采用脉冲型磁场。由于可以使用连续地、相当低的退活化磁场，所以不再需要在退活化装置中配置检测标识器是否出现的电路，以及供装置操作者触发退活化磁场脉冲用的电路。这可以降低与该退活化装置相关的成本，并且可以消除操作者触发脉冲退活化装置的工作。
而且，根据本发明构成的、由具有相当低的矫顽磁力特性的偏磁元件构成的标识器与使用SemiVac 90构成的偏磁元件的标识器相比，可以利用原有的退活化装置并可以更容易地实施退活化。
在根据本发明构造的第三实施例中，标识器10中的偏磁元件16是采用所谓的Vacozet合金构成的，而且这种合金可以由德国的Vacuumschmelze GmbH，GrunerWeg 37，D－63450，Hanau处购得。这种Vacozet材料的矫顽磁力为22.7Oe。（在这儿采用的是Vacozet的参考数据）
Vacozet材料的磁化特性示出在图9中，而且这种材料的退磁化特性示出在图10中。正如图9所示，大约为50Oe的DC磁场足以使该材料基本上完全磁化。图10表明，如果将由Vacozet材料制作的，完全磁化的偏磁元件放置在大约30Oe的AC退磁化磁场中，该元件将被退磁至完全磁化的5％以下。正如SB1材料那样，当这种Vacozet材料曝露在低水平的AC磁场中，比如说曝露在峰值幅度为6至15Oe的AC磁场中时，它将具有一定的稳定性。但是当其曝露在峰值幅度为5Oe或更低的AC磁场中时，这种材料的磁化将降低5％以下。
图11示出了采用Vacozet材料制作偏磁元件，采用2628CoA材料制作可激活型元件时的标识器的共振频率漂移特性曲线和输出信号幅度特性曲线。在图11中，曲线32表示的是使用Vacozet材料的标识器的共振频率漂移的特性曲线，该曲线随着所施加的退磁化磁场的强度变化而变化，曲线34表示的是该标识器的输出信号幅度的特性曲线。曲线32可以参考图中右侧处的标尺（千赫兹）进行说明，曲线34可以参考图中左侧除的标尺（微伏）进行说明。”
2010年4月27日，讯强公司请求专利复审委员会宣告本专利无效。讯强公司在口头审理时明确其无效理由是：本专利权利要求均不符合《中华人民共和国专利法》（简称《专利法》）第二十六条第三、四款的规定；本专利权利要求均不符合《中华人民共和国专利法实施细则》（简称《专利法实施细则》）第二十条第一款的规定；本专利独立权利要求1、4、9、14、20、25、30、37不符合《专利法实施细则》第二十一条第二款的规定；权利要求5至8、10至19、25至35的修改不符合《专利法》第三十三条的规定；权利要求1至3、20 至24、37、42、44、46、47相对于证据4不符合《专利法》第二十二条第二、三款关于新颖性、创造性的规定；权利要求1至4、20至25、37、42、44、46、47相对于证据4、6的结合不符合《专利法》第二十二条第三款关于创造性的规定；权利要求1至4、6至7、9、11至12、20至25、37、42、44、46、47相对于证据4至6的结合不符合《专利法》第二十二条第三款关于创造性的规定。请求宣告本专利全部无效。
2012年2月29日，专利复审委员会经审查作出第18161号《无效宣告请求审查决定》（简称第18161号决定）。专利复审委员会在该决定中认定：本专利符合《专利法》第二十六条第三款和第二十二条第三款的规定，本专利符合《专利法实施细则》第二十条第一款的规定。本专利权利要求1至4、6和7、9 至12、14至18、20至26、29和30、34和35、37至42、44、46和47均得不到说明书的支持，不符合《专利法》第二十六条第四款的规定。专利复审委员会决定宣告本专利权利要求1至4、6和7、9至12、14至18、20至26、29和30、34和35、37至42、44、46和47无效，在权利要求5、8、13、19、27和28、31至33、36、43、45的基础上维持专利权继续有效。
传感电子公司不服第18161号决定并提起诉讼，请求撤销第18161号决定。
北京市第一中级人民法院认为：
本专利说明书中以MagnaDur 20－4和Vacozet为偏磁元件的实施例中均存在偏磁材料特性与标识器特性相矛盾的描述，使得本领域技术人员无法确信这两个实施例能够解决本发明所要解决的技术问题和获得预期的技术效果。专利复审委员会认定这两个实施例不属于说明书中充分公开内容是正确的。本专利说明书中仅充分公开了以Metglas SB1制作标识器中偏磁元件的技术方案，其中SB1材料是矫顽力Hc约为19 Oe的半硬化材料，该材料在单独置于约15 Oe的AC磁场中将退磁化至完全磁化的约70％，当其与2628CoA合金材料一起形成标识器时，标识器在环境磁场不超过15 Oe时共振频率基本不变，同时该标识器在约20－25Oe的AC退活化磁场区间内具有超过100Hz/Oe的共振频率漂移梯度。本专利权利要求1的技术方案中不仅包含了传感电子公司推测的效果难以确定的内容，而且还覆盖了不能解决本发明所要解决的技术问题且难以达到预期技术效果的实施方式，故其得不到说明书的支持，不符合《专利法》第二十六条第四款规定。基于相似的理由，本专利权利要求2和3也不符合《专利法》第二十六条第四款规定。
本专利权利要求4不仅包括利用Hc小于55 Oe且具有陡峭的退磁化曲线而使其具有一定低场稳定性的半硬化材料制作标识器偏磁元件的技术方案，还包含了利用Hc小于55 Oe且退磁化曲线平缓的半硬化材料制作标识器偏磁元件的技术方案，而采用这种Hc小于55 Oe且退磁化曲线平缓的半硬化材料制作标识器的偏磁元件的技术方案难以确保在常规操作期间可能出现的低水平磁场下不发生意外退磁化。因此，权利要求4的范围中覆盖了不能解决本发明所要解决的技术问题且难以达到预期技术效果的实施方式，其得不到说明书的支持，不符合《专利法》第二十六条第四款的规定。基于相似的理由，本专利权利要求6和7也不符合《专利法》第二十六条第四款的规定。
本专利权利要求9限定的技术方案中包含了传感电子公司推测的内容，其效果又难以确定；权利要求9限定的范围中还包括了利用Hc小于60 Oe且退磁化曲线平缓的半硬化材料制作标识器的偏磁元件的技术方案，该方案难以确保在常规操作期间可能出现的低水平磁场下不发生意外退磁化。因此，权利要求9因概括过宽得不到说明书的支持，不符合《专利法》第二十六条第四款的规定。基于相似的理由，本专利权利要求10—12也不符合《专利法》第二十六条第四款的规定。
本专利权利要求14限定了标识器的偏磁元件可以采用任何在峰值幅度小于150 Oe的AC退磁化磁场下退磁至不超过完全磁化水平的5％的半硬化材料。本领域技术人员根据说明书公开的内容难以预测实现95％退磁所需AC退磁化磁场小于150 Oe的半硬化材料所具有的矫顽力Hc必然小于60 Oe，将其用于标识器的偏磁元件都能够使得标识器的退活化磁场小于采用Hc大于60 Oe的偏磁元件的常规标识器所需要的退活化磁场，该权利要求14限定的技术方案中包含了传感电子公司推测且效果难以确定的内容。另外，权利要求14限定的范围中还包含利用Hc小于60 Oe且退磁化曲线平缓的半硬化材料制作标识器的偏磁元件的技术方案，该技术方案不能解决本发明所要解决的技术问题和获得预期的技术效果。因此，权利要求14因概括过宽得不到说明书的支持，不符合《专利法》第二十六条第四款的规定。基于相似的理由，本专利权利要求15—18也不符合《专利法》第二十六条第四款的规定。
本专利权利要求20覆盖了所有在峰值幅度小于50 Oe的AC退活化磁场中共振频率相对于目标共振频率漂移至少1.5kHz的标识器。本领域技术人员根据说明书公开的内容难以预测使得标识器共振频率相对于目标共振频率漂移1.5kHz所需要的AC退活化磁场小于50 Oe的偏磁材料所具有的矫顽力Hc必然小于60 Oe，将其用于标识器的偏磁元件都能够使得标识器的退活化磁场小于采用Hc大于60 Oe的偏磁元件的常规标识器所需要的退活化磁场。另外，权利要求20还包含了利用软磁材料制作标识器的偏磁元件的技术方案，而在本专利申请日之前，基于本领域技术人员对软磁材料特性的了解，仅根据本专利说明书公开的内容无法预测利用软磁材料制作标识器的偏磁元件也能够解决本发明所要解决的技术问题并获取预期的技术效果。因此，权利要求20限定的技术方案中包含了传感电子公司推测、效果难以确定的内容，其得不到说明书的支持，不符合《专利法》第二十六条第四款的规定。基于相似的理由，本专利权利要求21—24也不符合《专利法》第二十六条第四款的规定。
本专利权利要求25覆盖了所有在峰值幅度小于35 Oe的AC退活化磁场中标识器的A1输出信号降低标识器暴露在退磁化磁场之前产生的A1输出信号水平的至少50％的标识器，其中既包含了传感电子公司推测且效果难以确定的内容，又覆盖了不能解决本发明所要解决的技术问题且达到预期技术效果的实施方式，故其得不到说明书的支持，不符合《专利法》第二十六条第四款的规定。基于相似的理由，本专利权利要求26和29也不符合《专利法》第二十六条第四款的规定。
在本专利说明书的公开内容的基础上结合本领域的公知常识，本领域技术人员可以合理预测在完全磁化且未设在标识器中时曝露于某AC磁场中时磁化水平产生明显降低，而当完全磁化且设在标识器中与磁致伸缩元件相邻处时曝露在相同AC磁场中时磁化水平基本不受AC磁场影响的偏磁元件单独设置时会在远小于60 Oe的AC退磁化磁场中发生退磁化，其矫顽力应当小于60 Oe，包括此偏磁元件的标识器能够通过比利用Hc大于60 Oe的偏磁材料的常规标识器小的退活化磁场实现退活化。但本专利权利要求30中包含了利用Hc小于60 Oe且退磁化曲线平缓变化的半硬化材料制作偏磁元件的标识器，这种标识器难以确保在常规操作期间可能出现的低水平磁场下不发生意外退磁化。因此，本专利权利要求30限定的范围中覆盖了不能解决本发明所要解决的技术问题且达到预期技术效果的实施方式，其得不到说明书的支持，不符合《专利法》第二十六条第四款的规定。基于相似的理由，本专利权利要求34和35也不符合《专利法》第二十六条第四款的规定。
本专利权利要求37覆盖了所有提供在峰值幅度低于150 Oe的AC磁场中实现退活化的标识器的技术方案。本领域技术人员根据说明书公开的内容难以预测低于150 Oe的AC退活化磁场必然小于使利用Hc大于60的偏磁材料的标识器所需要的退活化磁场。另外，权利要求37限定的范围中还包含以软磁材料制作偏磁元件及以Hc小于60 Oe且退磁化曲线平缓的半硬化材料制作偏磁元件的技术方案，这些技术方案难以确保在常规操作期间可能出现的低水平磁场下不发生意外退磁化。因此，本权利要求37限定的技术方案中既包含了传感电子公司推测、效果难以确定的内容，又覆盖了不能解决本发明所要解决的技术问题且达到预期技术效果的实施方式，故其得不到说明书的支持，不符合《专利法》第二十六条第四款的规定。基于相似的理由，本专利权利要求38—42、44、46、47也不符合《专利法》第二十六条第四款的规定。
综上，传感电子公司起诉所提的相关主张均不能成立，专利复审委员会作出的第18161号决定认定事实清楚，适用法律正确，应予维持。北京市第一中级人民法院依照《中华人民共和国行政诉讼法》第五十四条第（一）项[11]之规定，判决：维持中华人民共和国国家知识产权局专利复审委员会作出的第18161号无效宣告请求审查决定。
传感电子公司不服原审判决并向本院提起上诉，请求撤销原审判决和第18161号决定，判令专利复审委员会重新作出审查决定。传感电子公司的主要上诉理由为：本专利各权利要求均符合《专利法》第二十六条第四款的规定。原审法院和专利复审委员会对本专利各组权利要求中所要解决的技术问题或所要达到的技术效果认定错误，对说明书第一实施例和第三实施例未充分公开本发明的认定错误，导致其错误认定本专利部分权利要求不符合《专利法》第二十六条第四款的规定。
专利复审委员会与讯强公司服从原审判决。
本院经审理查明，原审判决认定事实清楚，证据采信得当，且有第18161号决定、本专利授权公告文本及当事人陈述、笔录等证据在案佐证，证据充分，本院对原审法院查明的事实予以确认。
本院另查明，专利复审委员会在第18161号决定中认定，传感电子公司对本专利的修改符合《专利法》第二十二条第三款、二十六条第三款、第三十三条的规定，符合《专利法实施细则》第二十条第一款的规定。关于本专利是否符合《专利法》第二十六条第四款的规定，专利复审委员会在第18161号决定中认定：
根据本专利说明书背景技术中的记载，对于标识器的偏磁元件，现有技术中一般认为其矫顽磁力至少要为60 Oe，以防止偏置元件在标识器储存、运输或装卸期间可能会出现的磁场作用下意外退磁化，进而使标识器退活化，因此需要使用较高的AC退活化磁场，而在这种情况下为减少能量损耗以符合规章规定，AC退活化磁场的产生装置必须按脉冲方式运行，相应地，标识器必须确保在退活化磁场脉冲出现时在该装置附近，同时例举了现有技术中采用的一种偏磁元件材料“SemiVac 90”，并对该材料的磁学特性进行了描述，例如其矫顽力约为70至80 Oe，至少需要450 Oe的DC磁场才能达到99％的磁化饱和，需要约200 Oe的AC退磁化磁场才能实现95％的退磁化，由此不难得出，现有技术中存在的问题就是，为防止偏置元件在标识器储存、运输或装卸期间可能会出现的磁场作用下意外退磁化，通常要求偏磁元件的矫顽力至少为60 Oe，导致标识器需要较高的退活化磁场，其具体表现是AC退活化磁场必须为脉冲形式、标识器在退活化时必须在退活化场产生装置附近等。相应地，本发明所要解决的技术问题或要得到的技术效果是获得在常规操作期间不被意外退活化、同时退活化磁场小于利用Hc≥60 Oe的偏磁元件的常规标识器的标识器，而不只是单独地要去解决现有技术中使用到的某种偏磁元件材料的DC饱和磁场过高（≥450 Oe）或实现95％退磁化需要的AC退磁化磁场过大（约为200 Oe）的问题。在本专利的说明书中公开了三个实施例，这三个实施例中分别以MagnaDur 20－4、Metglas SB1和Vacozet为偏磁元件。如前所述，本领域技术人员根据以Metglas SB1为偏磁元件的实施例能够获得退活化磁场小于常规标识器且在常规操作环境下不会意外退活化的标识器，即能够解决本发明所要解决的技术问题并获得预期的技术效果，因此，以Metglas SB1为偏磁元件的实施例属于说明书中充分公开的内容；然而，如前所述，本专利说明书中以MagnaDur20－4和Vacozet为偏磁元件的实施例中均存在偏磁材料特性与标识器特性相矛盾的描述，使得本领域技术人员无法确信这两个实施例能够解决本发明所要解决的技术问题和获得预期的技术效果，因此，这两个实施例不属于说明书中充分公开的内容。
一、关于权利要求1－3是否符合《专利法》第二十六条第四款的规定
请求人认为，根据本专利说明书充分公开的内容，仅当所施加的退磁化磁场在特定区间时，标识器才具有共振频率漂移梯度大于100Hz/Oe的特性，且说明书中仅公开了共振频率漂移梯度约为100Hz/Oe、200Hz/Oe、400Hz/Oe的实施例，由此不能概括得出权利要求1的特征“所述标识器有随退活化磁场变化的共振频率漂移特性，漂移梯度大于100Hz/Oe”，权利要求1得不到说明书支持；其从属权利要求2－3也因为存在相同问题而得不到说明书的支持。
专利权人认为：本专利的实施例1－3中随退活化磁场变化的漂移部分所对应的退活化磁场的具体区间范围均不相同，这说明本专利可以在不同的“随退活化磁场变化”的区间都获得大于100Hz/Oe的漂移梯度，且本专利说明书中已公开了共振频率漂移梯度超过100Hz/Oe、200Hz/Oe、400Hz/Oe的多个实施例，由这些内容能够概括得到权利要求1限定的技术方案，权利要求1符合《专利法》第二十六条第四款的规定。
专利复审委员会认为：本专利说明书中仅充分公开了以Metglas SB1制作标识器中偏磁元件的技术方案，其中SB1材料是矫顽力Hc约为19 Oe的半硬化材料，该材料在单独置于约15 Oe的AC磁场中将退磁化至完全磁化的约70％，而当其与2628CoA合金材料一起形成标识器时，标识器在环境磁场不超过15 Oe时共振频率基本不变，同时该标识器在约20－25Oe的AC退活化磁场区间内具有超过100Hz/Oe的共振频率漂移梯度。本专利权利要求1请求保护使用在磁力式电子货品监视系统中的标识器，该权利要求1中的特征“所述标识器有随退活化磁场变化的共振频率漂移特性，漂移梯度大于100Hz/Oe”使得该权利要求1的保护范围覆盖了所有共振频率随退活化磁场变化的漂移梯度大于100Hz/Oe的标识器，其中包括例如以软磁材料制作标识器的偏磁元件的技术方案，以及利用Hc大于60 Oe且具有使标识器的共振频率随退活化磁场变化的漂移梯度大于100Hz/Oe的退磁特性的半硬化材料制作标识器的偏磁元件的技术方案。然而，本专利说明书中仅充分公开了一个以半硬化材料制作偏磁元件的技术方案，本领域技术人员基于本专利申请日之前的知识，无法预测利用软磁材料制作标识器的偏磁元件也能够确保标识器在暴露于常规操作期间可能出现的低水平磁场中时不会意外退活化，从而解决本发明所要解决的技术问题并获取预期的技术效果；此外，对于以Hc大于60 Oe且具有使标识器共振频率随退活化磁场变化的漂移梯度大于100Hz/Oe的退磁特性的半硬化材料制作标识器的偏磁元件的技术方案，尽管可能使标识器获得大于100Hz/Oe的共振频率漂移梯度，但其不能使标识器的退活化磁场低于采用Hc≥60 Oe的偏磁元件的常规标识器，即，解决不了本发明所要解决的降低退活化磁场技术问题。由此可见，该权利要求1限定的技术方案中不仅包含了专利权人推测、效果难以确定的内容，而且还覆盖了不能解决本发明所要解决的技术问题且难以达到预期技术效果的实施方式，因此，该权利要求1得不到说明书的支持，不符合《专利法》第二十六条第四款的规定。
基于与权利要求1相似的理由可知，权利要求2和3的保护范围中同样既包含了专利权人推测、效果难以确定的内容，又覆盖了不能解决本发明所要解决的技术问题且达到预期技术效果的实施方式，该权利要求2和3得不到说明书的支持，不符合《专利法》第二十六条第四款的规定。由于权利要求1－3不符合《专利法》第二十六条第四款的规定，因此专利复审委员会不再对有关权利要求1－3的其他无效理由进行评述。
二、关于权利要求4－8是否符合《专利法》第二十六条第四款的规定
请求人认为，本专利说明书未公开矫顽力在10－18 Oe和23－55 Oe区间的半硬化磁性材料同样可用于制作本发明的偏磁元件，因此权利要求4中的特征“偏磁元件由具有小于55 Oe的矫顽磁力Hc的半硬化磁性材料制成”不能从说明书充分公开的内容得到或概括得出；其从属权利要求5也存在同样问题，也不符合《专利法》第二十六条第四款的规定；权利要求6、7中的“偏磁元件由具有小于40 Oe的矫顽磁力Hc的半硬化磁性材料制成”、“偏磁元件由具有小于20 Oe的矫顽磁力Hc的半硬化磁性材料制成”的概括也得不到说明书的支持，不符合《专利法》第二十六条第四款的规定。
专利权人认为：本专利说明书对半硬化材料的定义是针对一般情况的，广义来说半硬化材料可以具有小于10 Oe的矫顽力，本专利说明书已公开了矫顽力为11 Oe、20 Oe、19 Oe、22.7 Oe的多个实施例，本领域技术人员知晓如何调整偏磁元件的矫顽力至多个需要水平，因此基于说明书的多个实施例能够概括得出“偏磁元件由具有小于55 Oe的矫顽磁力Hc的半硬化磁性材料制成”，同理权利要求5－8的技术方案也能够从说明书的多个实施例中概括得出，符合《专利法》第二十六条第四款规定。
专利复审委员会认为：本专利说明书充分公开了以Metglas SB1材料制作标识器的偏磁元件的技术方案，其中SB1材料具有19 Oe的矫顽力，能够使标识器具有超过100Hz/Oe的漂移梯度。
（一）本专利权利要求4中的特征“偏磁元件由具有小于55 Oe的矫顽磁力Hc的半硬化磁性材料制成”使得该权利要求4不仅包括利用Hc小于55 Oe且具有陡峭的退磁化曲线（例如使标识器具有大于100Hz/Oe的共振频率漂移梯度）而使其具有一定低场稳定性的半硬化材料制作标识器偏磁元件的技术方案，还包含了利用Hc小于55 Oe且退磁化曲线平缓的半硬化材料制作标识器偏磁元件的技术方案，显然，采用这种Hc小于55 Oe且退磁化曲线平缓的半硬化材料制作标识器的偏磁元件的技术方案虽然能够通过小于常规标识器的退活化磁场实现退活化，但难以确保在常规操作期间可能出现的低水平磁场下不发生意外退磁化，即，该技术方案不能解决本发明所要解决的技术问题且难以获得预期的技术效果。由此可见，该权利要求4的范围中覆盖了不能解决本发明所要解决的技术问题且难以达到预期技术效果的实施方式，因此，该权利要求4得不到说明书的支持，不符合《专利法》第二十六条第四款的规定。
权利要求6是权利要求4的从属权利要求，其附加技术特征进一步限定“偏磁元件由具有小于40 Oe的矫顽磁力Hc的半硬化磁性材料制成”，权利要求7是权利要求6的从属权利要求，其附加技术特征进一步限定“偏磁元件由具有小于20 Oe的矫顽磁力Hc的半硬化磁性材料制成”，通过与关于权利要求4类似的分析可以得出，权利要求6和7限定的范围中均覆盖了不能解决本发明所要解决的技术问题且难以达到预期技术效果的实施方式，不符合《专利法》第二十六条第四款的规定。
由于权利要求4、6－7不符合《专利法》第二十六条第四款的规定，因此专利复审委员会不再对有关权利要求4、6－7的其它无效理由进行评述。
（二）权利要求5是权利要求4的从属权利要求，其进一步限定了标识器中的偏磁元件由Hc小于55 Oe、且当处于完全磁化状态并暴露在峰值幅度为4 Oe的AC磁场时磁化水平至少保持在完全磁化水平的95％以上的半硬化材料制成，这使得该标识器在常规操作时可能出现的环境磁场中不会意外发生退活化。因此，结合上述分析可知，本专利说明书充分公开了Metglas SB1材料制作标识器的偏磁元件的技术方案，本领域技术人员基于说明书充分公开的内容可以合理预测利用权利要求5中限定的偏磁元件均能够使得标识器在小于常规标识器的退活化磁场中实现退活化，同时确保在常规操作时可能出现的环境磁场中不发生退活化，该权利要求5能够得到说明书的支持，符合《专利法》第二十六条第四款的规定；基于类似的理由，权利要求8也符合《专利法》第二十六条第四款的规定。
三、关于权利要求9－13是否符合《专利法》第二十六条第四款的规定
请求人认为，权利要求9中的“偏磁元件由具有DC磁化磁场特性的半硬化磁性材料制成，使所述偏磁元件达到饱和所需要的DC磁场Ha小于350 Oe”不能从说明书充分公开的内容得到或概括得出；其从属权利要求10－13也存在同样问题，不符合《专利法》第二十六条第四款的规定。
专利权人认为：本专利说明书中公开了使偏磁元件达到饱和所需要的DC磁场强度小于150 Oe、50 Oe的实施例，且本领域技术人员知晓如何调整偏磁元件以在各种不同的磁化磁场水平下实现饱和，因此权利要求9符合《专利法》第二十六条第四款的规定，同理，其从属权利要求10－13也符合《专利法》第二十六条第四款的规定。
专利复审委员会认为：
（一）本专利权利要求9中的特征“偏磁元件由具有DC磁化磁场特性的半硬化磁性材料制成，使所述偏磁元件达到饱和所需要的DC磁场Ha小于350 Oe”限定了标识器的偏磁元件可以采用任何一种Ha小于350 Oe的半硬化材料。然而，在本专利说明书充分公开的内容中，只记载了一种Hc在70至80 Oe之间的半硬化材料SemiVac 90的Ha约为450 Oe，尽管磁性材料的饱和DC磁场通常是随着矫顽力Hc减小呈现减小趋势的，但是本领域技术人员仅根据说明书公开的上述内容难以预测Ha小于350 Oe的半硬化材料所具有的矫顽力Hc必然小于60 Oe，将其用于标识器的偏磁元件都能够使得标识器的退活化磁场小于采用Hc大于60 Oe的偏磁元件的常规标识器所需要的退活化磁场，即，该权利要求9限定的技术方案中显然包含了专利权人推测的内容，其效果又难以确定；另外，该权利要求9限定的范围中还包括了利用Hc小于60 Oe且退磁化曲线平缓的半硬化材料制作标识器的偏磁元件的技术方案，该方案虽然能够通过小于常规标识器的退活化磁场实现退活化，但难以确保在常规操作期间可能出现的低水平磁场下不发生意外退磁化，即，不能解决本发明所要解决的技术问题和获得预期的技术效果。由此可见，该权利要求9限定的技术方案中既包含了专利权人推测、效果难以确定的内容，又覆盖了不能解决本发明所要解决的技术问题且难以达到预期技术效果的实施方式，因此，该权利要求9概括过宽，得不到说明书的支持，不符合《专利法》第二十六条第四款的规定。
权利要求10是权利要求9的从属权利要求，其进一步限定了“偏磁元件在完全磁化且暴露于具有峰值幅度为4 Oe的AC磁场中时磁化水平至少保持在完全磁化水平的95％以上”，而根据有关权利要求9的评述可以得出，权利要求10限定的技术方案中仍包含了专利权人推测且效果难以确定的内容，因此该权利要求10同样存在概括过宽的问题，得不到说明书的支持，不符合《专利法》第二十六条第四款的规定；权利要求11是权利要求10的从属权利要求，其进一步限定“使所述偏磁元件达到饱和所需要的DC磁场Ha小于200 Oe”，权利要求12是权利要求11的从属权利要求，其进一步限定“使所述偏磁元件达到饱和所需要的DC磁场Ha小于150 Oe”，同样依据关于权利要求9的评述可以得出，本领域技术人员仅仅根据说明书公开的上述内容难以预测Ha小于200 Oe和150 Oe的半硬化材料所具有的矫顽力Hc必然小于60 Oe，将其用于标识器的偏磁元件都能够使得标识器的退活化磁场小于采用Hc大于60 Oe的偏磁元件的常规标识器所需要的退活化磁场，即，该权利要求11和12限定的技术方案中包含了专利权人推测且效果难以确定的内容，该权利要求11和12概括过宽，得不到说明书的支持，不符合《专利法》第二十六条第四款的规定。
由于权利要求9－12不符合《专利法》第二十六条第四款的规定，因此专利复审委员会不再对有关权利要求9－12的其他无效理由进行评述。
（二）权利要求13是权利要求12的从属权利要求，其中限定了标识器中的偏磁元件由饱和DC磁场Ha小于50 Oe、且当处于完全磁化状态并暴露在峰值幅度为4 Oe的AC磁场时磁化水平至少保持在完全磁化水平的95％以上的半硬化材料制成。本领域技术人员公知的是，磁性材料的饱和DC磁场Ha要大于或等于其矫顽力Hc，由此可见，权利要求13限定的标识器中的偏磁元件的矫顽力Hc应小于50 Oe，因此该标识器能够通过比利用Hc大于60 Oe的半硬化材料制作偏磁元件的常规标识器小的退活化磁场实现退活化，同时，权利要求13限定了偏磁元件在处于完全磁化状态并暴露在峰值幅度为4 Oe的AC磁场时磁化水平至少保持在完全磁化水平的95％以上，由本专利说明书中关于SB1作为偏磁元件的实施例可知（例如参见图6），SB1材料的偏磁元件在峰值幅度为4 Oe的AC退磁化磁场中时，磁化水平保持在完全磁化水平的95％以上，由此可以推知，该权利要求限定的标识器能够在常规操作期间可能出现的低水平磁场下不发生意外退磁化。由此可见，本领域技术人员基于说明书充分公开的内容可以合理预测权利要求13所覆盖的技术方案均能够解决本发明所要解决的技术问题，并获得预期的技术效果，因此，该权利要求13能够得到说明书的支持，符合《专利法》第二十六条第四款的规定。
四、关于权利要求14－19是否符合《专利法》第二十六条第四款的规定
请求人认为，权利要求14中的“偏磁元件由具有AC退磁化磁场特性的半硬化磁性材料制成，当将其峰值幅度小于150 Oe的AC退磁化磁场Hmd施加在处于完全磁化状态的偏磁元件上时，所述偏磁元件退磁化至不超过完全磁化水平的5％的水平”不能从说明书充分公开的内容得到或概括得出；其从属权利要求15－19也存在同样问题，不符合《专利法》第二十六条第四款的规定。
专利权人认为：本专利说明书的各个实施例公开了使用小于100、30 Oe的AC退磁化磁场，因此该权利要求14的技术方案得到了说明书各个实施例充分支持，符合《专利法》第二十六条第四款的规定；同理，其从属权利要求15－19也符合《专利法》第二十六条第四款的规定。
专利复审委员会认为：
（一）本专利权利要求14中的特征“偏磁元件由具有AC退磁化磁场特性的半硬化磁性材料制成，当将其峰值幅度小于150 Oe的AC退磁化磁场Hmd施加在处于完全磁化状态的偏磁元件上时，所述偏磁元件退磁化至不超过完全磁化水平的5％的水平”限定了标识器的偏磁元件可以采用任何在峰值幅度小于150 Oe的AC退磁化磁场下退磁至不超过完全磁化水平的5％的半硬化材料。然而，如前所述，在本专利说明书充分公开的内容中，只公开了在峰值幅度约为20－30 Oe下实现95％退磁且具有陡峭退磁化曲线而使标识器具有低场稳定性的半硬化材料制作标识器的偏磁元件的技术方案，另外在说明书中还记载了一种Hc在70至80 Oe之间且退磁化曲线较为平缓的半硬化材料SemiVac 90实现95％退磁需要约200 Oe的AC退磁化磁场，尽管磁性材料实现95％退磁所需要的AC退磁化磁场通常是随着矫顽力Hc减小而减小的，但是本领域技术人员仅仅根据说明书公开的上述内容难以预测实现95％退磁所需AC退磁化磁场小于150 Oe的半硬化材料所具有的矫顽力Hc必然小于60 Oe，将其用于标识器的偏磁元件都能够使得标识器的退活化磁场小于采用Hc大于60 Oe的偏磁元件的常规标识器所需要的退活化磁场，即该权利要求14限定的技术方案中显然包含了专利权人推测且效果难以确定的内容；另外，该权利要求14限定的范围中还包含利用Hc小于60 Oe且退磁化曲线平缓的半硬化材料制作标识器的偏磁元件的技术方案，该技术方案虽然能够通过小于常规标识器的退活化磁场实现标识器的退活化，但难以确保在常规操作期间可能出现的低水平磁场下不发生意外退磁化，即不能解决本发明所要解决的技术问题和获得预期的技术效果。由此可见，权利要求14限定的技术方案中既包含了专利权人推测且效果难以确定的内容，又覆盖了不能解决本发明所要解决的技术问题且达到预期技术效果的实施方式，故权利要求14概括过宽，得不到说明书的支持，不符合《专利法》第二十六条第四款规定。
权利要求15是权利要求14的从属权利要求，其进一步限定“偏磁元件在处于完全磁化状态并暴露在峰值幅度为4 Oe的AC磁场时磁化水平至少保持在完全磁化水平的95％以上”，权利要求16是权利要求15的从属权利要求，其进一步限定偏磁元件在处于完全磁化状态并暴露在峰值幅度为20 Oe的AC磁场时磁化水平至少保持在完全磁化水平的95％以上，而通过与前面关于权利要求14相似的分析可以得出，权利要求15和16限定的技术方案中仍包含了专利权人推测且效果难以确定的内容，该权利要求15和16同样存在概括过宽的问题，得不到说明书的支持，不符合《专利法》第二十六条第四款的规定。
权利要求17是权利要求15的从属权利要求，其进一步限定“偏磁元件AC退磁化磁场特性使得将其峰值幅度小于100 Oe的AC退磁化磁场Hmd施加在处于完全磁化状态的偏磁元件上时，所述偏磁元件退磁化至不超过完全磁化水平的5％的水平”，权利要求18是权利要求17的从属权利要求，其进一步限定偏磁元件的AC退磁化磁场特性使得所述偏磁元件处于完全磁化状态并且暴露在具有峰值幅度为12 Oe的AC磁场Hmd中时磁化水平至少保持在完全磁化水平的95％以上，而通过与前面关于权利要求14相似的分析可以得出，权利要求17和18限定的技术方案中仍包含了专利权人推测且效果难以确定的内容，该权利要求17和18同样存在概括过宽的问题，得不到说明书的支持，不符合《专利法》第二十六条第四款的规定。
由于权利要求14－18不符合《专利法》第二十六条第四款的规定，因此专利复审委员会不再对有关权利要求14－18的其他无效理由进行评述。
（二）权利要求19是引用权利要求15的从属权利要求，其限定了标识器的偏磁元件可以采用任何在峰值幅度小于30 Oe的AC退磁化磁场下从完全磁化水平退磁至不超过完全磁化水平的5％且在峰值幅度为4 Oe的AC磁场下磁化水平至少保持在完全磁化水平的95％以上的半硬化材料制成。尽管本专利说明书充分公开了在峰值幅度约为30 Oe下实现95％退磁的半硬化材料制作标识器的偏磁元件的技术方案能使标识器通过比常规标识器小的退活化磁场实现退活化，但是，由于磁性材料实现95％退磁所需要的AC退磁化磁场通常是随着矫顽力Hc减小而减小的，因此本领域技术人员可以合理预测利用会在峰值幅度小于30 Oe的AC退磁化场下退磁至不超过完全磁化水平的5％的半硬化材料制作偏磁元件也应当能够使标识器所需要的退活化磁场小于常规标识器，同时权利要求19限定了标识器中的偏磁元件在处于完全磁化状态并暴露在峰值幅度为4 Oe的AC磁场中时磁化水平至少保持在完全磁化水平的95％以上，由本专利说明书中关于SB1作为偏磁元件的实施例可知（例如参见图6），SB1材料的偏磁元件在峰值幅度为4 Oe的AC退磁化磁场中时，磁化水平保持在完全磁化水平的95％以上，由此可以推知，该权利要求限定的标识器能够在常规操作期间可能出现的低水平磁场下不发生意外退磁化。由此可见，本领域技术人员可以合理预测权利要求19所覆盖的技术方案均能够解决本发明所要解决的技术问题，并获得预期的技术效果，因此，该权利要求19能够得到说明书的支持，符合《专利法》第二十六条第四款的规定。
五、关于权利要求20－24是否符合《专利法》第二十六条第四款的规定
请求人指出，权利要求20中的“所述标识器具有与退活化磁场相关的共振频率漂移特性，从而使得将所述标识器曝露在其峰值幅度为50 Oe以下的AC退活化磁场中时，所述标识器的共振频率相对于所述目标共振频率的漂移至少为1.5kHz”不能从说明书充分公开的内容得到或概括得出；其从属权利要求21 －24也存在同样问题，不符合《专利法》第二十六条第四款的规定。
专利权人认为：本专利说明书的各个实施例公开了在30和35 Oe的AC退磁化磁场下标识器具有1.5kHz的频率漂移，因此该权利要求20的技术方案得到了说明书各个实施例充分支持，符合《专利法》第二十六条第四款的规定；同理，其从属权利要求21－24也符合《专利法》第二十六条第四款的规定。
专利复审委员会认为：
本专利权利要求20中的特征“所述标识器具有与退活化磁场相关的共振频率漂移特性，从而使得将所述标识器曝露在其峰值幅度为50 Oe以下的AC退活化磁场中时，所述标识器的共振频率相对于所述目标共振频率的漂移至少为1.5kHz”覆盖了所有在峰值幅度小于50 Oe的AC退活化磁场中共振频率相对于目标共振频率漂移至少1.5kHz的标识器。然而，本专利说明书充分公开了利用SB1材料制作标识器偏磁元件的技术方案能够解决本发明所要解决的技术问题并获得预期的技术效果，其中该标识器的共振频率在30 Oe的AC退活化磁场中相对于目标共振频率漂移1.5kHz，同时说明书中还记载了一种现有技术中的标识器，其中以Hc为70－80 Oe且退磁化曲线较为平缓的半硬化材料Semi-Vac 90制作标识器的偏磁元件，该标识器的共振频率在50 Oe的AC退活化磁场中相对于目标共振频率漂移小于1.5kHz。尽管使标识器共振频率相对于目标共振频率漂移1.5kHz所需要的AC退活化磁场通常是随着标识器中偏磁元件的矫顽力减小而降低的，但是本领域技术人员仅根据说明书公开的上述内容难以预测使得标识器共振频率相对于目标共振频率漂移1.5kHz所需要的AC退活化磁场小于50 Oe的偏磁材料所具有的矫顽力Hc必然小于60 Oe，将其用于标识器的偏磁元件都能够使得标识器的退活化磁场小于采用Hc大于60 Oe的偏磁元件的常规标识器所需要的退活化磁场；另外，该权利要求20还包含了利用软磁材料制作标识器的偏磁元件的技术方案，而在本专利申请日之前，基于本领域技术人员对软磁材料特性的了解（例如矫顽力低，极易退磁化），仅根据本专利说明书公开的内容无法预测利用软磁材料制作标识器的偏磁元件也能够解决本发明所要解决的技术问题并获取预期的技术效果，。由此可见，该权利要求20限定的技术方案中包含了专利权人推测、效果难以确定的内容，其得不到说明书的支持，不符合《专利法》第二十六条第四款的规定。
权利要求21－24是直接或间接引用权利要求20的从属权利要求，其附加技术特征分别对标识器的共振频率漂移特性进行了限定。然而，这些权利要求所限定的范围中均覆盖了以软磁材料制作标识器的偏磁元件的技术方案，基于与前面相同的理由，本领域技术人员基于说明书充分公开的内容无法预测利用软磁材料制作标识器偏磁元件的技术方案也能够解决本发明所要解决的技术问题，并获得所预期的技术效果，这些权利要求21－24限定的范围中包含了专利权人推测、效果难以确定的内容，得不到说明书的支持，不符合《专利法》第二十六条第四款的规定。
由于权利要求20－24不符合《专利法》第二十六条第四款的规定，因此专利复审委员会不再对有关权利要求20－24的其他无效理由进行评述。
六、关于权利要求25－29是否符合《专利法》第二十六条第四款的规定
请求人指出，权利要求25中的“所述标识器的随退活化磁场变化的输出信号特性使得将该标识器曝露在峰值幅度低于35 Oe的AC退活化磁场中时，由所述标识器产生的A1输出信号水平将降低所述标识器曝露在所述退磁化磁场之前时产生的A1输出信号水平的至少50％，其中的A1输出信号是由标识器在施加在标识器处的问询信号脉冲结束后1毫秒时产生的信号”不能从说明书充分公开的内容得到或概括得出；其从属权利要求26－29也存在同样问题，不符合《专利法》第二十六条第四款的规定。
专利权人认为：权利要求25中的在低于35 Oe的AC退活化磁场中降低A1输出信号水平的至少50％是克服现有技术的技术偏见的教导，符合《专利法》第二十六条第四款规定，同理，权利要求26－29也符合《专利法》第二十六条第四款规定。
专利复审委员会认为：
（一）本专利权利要求25中的特征“所述标识器的随退活化磁场变化的输出信号特性使得将该标识器曝露在峰值幅度低于35 Oe的AC退活化磁场中时，由所述标识器产生的A1输出信号水平将降低所述标识器曝露在所述退磁化磁场之前时产生的A1输出信号水平的至少50％，其中的A1输出信号是由标识器在施加在标识器处的问询信号脉冲结束后1毫秒时产生的信号”覆盖了所有在峰值幅度小于35 Oe的AC退活化磁场中标识器的A1输出信号降低标识器暴露在退磁化磁场之前产生的A1输出信号水平的至少50％的标识器。本专利说明书充分公开了以SB1材料制作标识器的偏磁元件的技术方案能够使得标识器能够通过比利用Hc大于60 Oe的偏磁元件的常规标识器小的退活化磁场实现退活化，其中SB1材料的矫顽力为19 Oe，该标识器暴露于约25 Oe的AC退活化磁场中时A1输出信号水平将降低50％，暴露于约30 Oe的AC退活化磁场中时A1输出信号水平将降低75％。尽管使标识器的A1输出信号水平降低至少50％所需要的AC退磁化磁场通常是随着偏磁元件矫顽力减小而降低的，但是本领域技术人员仅根据说明书充分公开的上述内容仍难以预测使标识器的A1输出信号水平在低于35 Oe的AC退活化磁场中降低至少50％的偏磁元件的矫顽力Hc必然小于60 Oe，将其用于标识器的偏磁元件能够使得标识器的退活化磁场小于采用Hc大于60 Oe的偏磁元件的常规标识器所需要的退活化磁场，即，该权利要求25限定的范围中包含了专利权人推测且效果难以确定的内容；并且，权利要求25限定的范围中还包含了低矫顽力（例如在35 Oe的AC退活化磁场中可实现完全退磁化的）且退磁化曲线平缓的偏磁材料制作标识器偏磁元件的技术方案，其中由于偏磁元件矫顽力低且退磁曲线平缓，偏磁元件在暴露于低水平磁场中时容易发生退磁化，因此尽管这种技术方案能够通过小于常规标识器的退活化磁场实现退活化，但难以确保在常规操作期间可能出现的低水平磁场下不发生意外退磁化，同样不能解决本发明所要解决的技术问题和获得预期的技术效果。由此可见，该权利要求25限定的范围中既包含了专利权人推测且效果难以确定的内容，又覆盖了不能解决本发明所要解决的技术问题且达到预期技术效果的实施方式，得不到说明书的支持，不符合《专利法》第二十六条第四款的规定。
权利要求26是权利要求25的从属权利要求，其进一步限定了“偏磁元件在完全磁化且暴露于具有峰值幅度为4 Oe的AC磁场中时磁化水平至少保持在完全磁化水平的95％以上”，而根据有关权利要求25的评述可以得出，权利要求26限定的范围中仍包含了专利权人推测且效果难以确定的内容，得不到说明书的支持，不符合《专利法》第二十六条第四款的规定。
权利要求29是权利要求26的从属权利要求，其进一步限定“标识器的随退活化磁场变化的输出信号特性使得将该标识器曝露在峰值幅度低于35 Oe的AC退活化磁场中时，由所述标识器产生的A1输出信号水平将降低所述标识器曝露在所述退磁化磁场之前时产生的A1输出信号水平的至少75％”。如前所述，在说明书充分公开的利用SB1材料制作偏磁元件的技术方案中，公开了该标识器在暴露于约30 Oe的AC退活化磁场中时，A1输出信号水平将降低至少75％，但是本领域技术人员由此仍难以预测使标识器的A1输出信号水平在低于35 Oe的AC退活化磁场中降低75％的偏磁元件的矫顽力Hc必然小于60 Oe，将其用于标识器的偏磁元件能够使得标识器的退活化磁场小于采用Hc大于60 Oe的偏磁元件的常规标识器所需要的退活化磁场，即，该权利要求29限定的范围中包含了专利权人推测且效果难以确定的内容，得不到说明书的支持，不符合《专利法》第二十六条第四款的规定。
由于权利要求25、26和29不符合《专利法》第二十六条第四款的规定，因此专利复审委员会不再对有关权利要求25、26和29的其他无效理由进行评述。
（二）权利要求27是权利要求26的从属权利要求，其限定了通过使标识器的A1输出信号水平在低于25 Oe的AC退活化磁场中降低至少50％且在峰值幅度为4 Oe的AC磁场下磁化水平至少保持在完全磁化水平的95％以上的偏磁材料制作偏磁元件的技术方案。本专利说明书公开了使标识器暴露于约25 Oe的AC退活化磁场中时A1输出信号水平将降低50％的技术方案能够使得标识器能够通过比利用Hc大于60 Oe的偏磁元件的常规标识器小的退活化磁场实现退活化，由于使标识器的A1输出信号水平降低至少50％所需要的AC退磁化磁场通常是随着偏磁元件矫顽力减小而降低的，因此本领域技术人员基于说明书充分公开的上述内容可以合理地预测使标识器的A1输出信号水平在低于25 Oe的AC退活化磁场中降低至少50％的偏磁材料制作偏磁元件的技术方案可以使标识器的退活化磁场低于Hc大于60 Oe的常规标识器所需要的退活化磁场，同时权利要求27限定了标识器中的偏磁元件在处于完全磁化状态并暴露在峰值幅度为4 Oe的AC磁场中时磁化水平至少保持在完全磁化水平的95％以上，由本专利说明书中关于SB1作为偏磁元件的实施例可知（例如参见图6），SB1材料的偏磁元件在峰值幅度为4 Oe的AC退磁化磁场中时，磁化水平保持在完全磁化水平的95％以上，由此可以推知，该权利要求限定的标识器能够在常规操作期间可能出现的低水平磁场下不发生意外退磁化。由此可见，本领域技术人员可以合理预测权利要求27所覆盖的技术方案均能够解决本发明所要解决的技术问题，并获得预期的技术效果，该权利要求27能够得到说明书的支持，符合《专利法》第二十六条第四款的规定。权利要求28是权利要求26的从属权利要求，其限定了通过使标识器的A1输出信号水平在低于30 Oe的AC退活化磁场中降低至少75％且在峰值幅度为4 Oe的AC磁场下磁化水平至少保持在完全磁化水平的95％以上的偏磁材料制作偏磁元件的技术方案，通过与前面类似的分析可以得出，该权利要求28能够得到说明书的支持，符合《专利法》第二十六条第四款的规定。
七、关于权利要求30－36是否符合《专利法》第二十六条第四款的规定
请求人指出，权利要求30中未对“具有一定峰值幅度的AC磁场”和偏磁材料进行限定，使得该权利要求30得不到说明书的支持，不符合《专利法》第二十六条第四款的规定，其从属权利要求31－35也不符合《专利法》第二十六条第四款的规定；权利要求36中未对偏磁材料进行限定，也不符合《专利法》第二十六条第四款的规定。
专利权人认为：权利要求30的技术方案至少对应于使用SB1材料的实施例及使用vacozet材料的实施例，因此对于本领域技术人员而言，权利要求30的技术方案完全能够从说明书公开的内容概括得出，符合《专利法》第二十六条第四款的规定。
专利复审委员会认为：
（一）权利要求30中限定了“偏磁元件由具有AC退磁化磁场特性的半硬化磁性材料制成，从而使所述偏磁元件在完全磁化且未设置在所述标识器中时曝露在具有一定峰值幅度的AC磁场中时，所述AC磁场将使所述的偏磁元件的磁化水平产生明显降低，而且当所述偏磁元件被完全磁化且配置在所述标识器中与所述磁致伸缩元件相邻近的位置处，并且使所述偏磁元件在曝露在具有一定峰值幅度的AC磁场中时，所述磁致伸缩元件使磁通由所述偏磁元件处偏移开，从而使所述偏磁元件的磁化基本上不会受到所述AC磁场的影响”。本专利说明书充分公开了一种以SB1材料为偏磁材料的标识器，其中SB1的矫顽力Hc约为19 Oe，单独置于约15 Oe的AC磁场中将退磁化至完全磁化的约70％，当与2628CoA合金材料一起形成标识器时标识器在环境磁场不超过15 Oe时共振频率基本不变；并且，关于标识器中的磁屏蔽效应，本领域技术人员能够理解，标识器中的磁致伸缩元件通常为软磁材料，其磁导率高于通常为半硬化材料的偏磁元件，上述磁屏蔽作用是通过高磁导率的磁致伸缩元件中流过较多磁通（其与磁致伸缩元件和偏磁元件的磁导率等磁性差异有关）来实现的，这种作用如同电路中的旁路电路分流效应一样，从理论上讲采用磁屏蔽不能完全消除磁场的影响，并且随着高磁导率材料趋于饱和，其对磁通的分流效果降低，磁屏蔽效果降低，亦即，对于标识器而言，当退活化磁场较小时，磁致伸缩元件对退活化磁场的屏蔽效应较明显，直接作用于偏磁元件上的退活化磁场明显小于外部退活化磁场，随着退活化磁场进一步增大，磁致伸缩元件趋于饱和时，对退活化磁场的屏蔽作用逐渐减弱，对新增退活化磁场部分的分流能力下降，新增加的退活化磁场部分中直接作用于偏磁元件上的比例增大，偏磁元件开始产生退磁。而已知的是，标识器中磁致伸缩元件的饱和磁化磁场通常较小（远小于60 Oe），因此，在本专利说明书的上述公开内容的基础上结合本领域的公知常识，本领域技术人员可以合理预测在完全磁化且未设在标识器中时曝露于某AC磁场中时磁化水平产生明显降低，而当完全磁化且设在标识器中与磁致伸缩元件相邻处时曝露在相同AC磁场中时磁化水平基本不受AC磁场影响的偏磁元件单独设置时会在远小于60 Oe的AC退磁化磁场中发生退磁化，其矫顽力应当小于60 Oe，包括此偏磁元件的标识器能够通过比利用Hc大于60 Oe的偏磁材料的常规标识器小的退活化磁场实现退活化。但该权利要求30中同时也包含了利用Hc小于60 Oe且退磁化曲线平缓变化的半硬化材料制作偏磁元件的标识器，这种标识器能够通过小于常规标识器的退活化磁场实现退活化，但难以确保在常规操作期间可能出现的低水平磁场下不发生意外退磁化，即不能解决本发明所要解决的技术问题和获得预期的技术效果，权利要求30限定的范围中覆盖了不能解决本发明所要解决的技术问题且达到预期技术效果的实施方式，因此，权利要求30得不到说明书的支持，不符合《专利法》第二十六条第四款规定。
权利要求34是权利要求30的从属权利要求，其进一步限定标识器中的偏磁元件由Vacozet材料形成，权利要求35是权利要求34的从属权利要求，其进一步限定标识器中的偏磁元件由Vacozet材料形成，非结晶型磁致伸缩元件由Metglas2628CoA形成，它们所请求保护的技术方案对应于本专利说明书中公开的有关“Vacozet材料”的实施例，如前面有关《专利法》第二十六条第三款的无效理由的评述中所述，本专利说明书中有关“Vacozet材料”的实施例未充分公开，本领域技术人员无法确信利用Vacozet材料为偏磁元件、Metglas 2628CoA为磁致伸缩元件的标识器能够解决本发明所要解决的技术问题，因此该权利要求34和35不能从说明书充分公开的内容中得出，得不到说明书的支持，不符合《专利法》第二十六条第四款规定。
由于权利要求30、34和35不符合《专利法》第二十六条第四款的规定，因此专利复审委员会不再对有关权利要求30的其他无效理由进行评述。
（二）权利要求31是权利要求30的从属权利要求，其进一步限定标识器中的偏磁元件由Metglas 2605SB1材料形成，本专利说明书充分公开了一种以Metglas2605SB1材料为偏磁材料的标识器，其中SB1的矫顽力Hc约为19 Oe，单独置于约15 Oe的AC磁场中将退磁化至完全磁化的约70％，当与2628CoA合金材料一起形成标识器时标识器在环境磁场不超过15 Oe时共振频率基本不变，根据说明书充分公开的上述内容，本领域技术人员能够合理地预测利用Metglas 2605SB1材料制作偏磁元件的标识器均能够解决本发明所要解决的技术问题并获得预期的技术效果，即，使得标识器实现退活化所需要的退活化磁场小于常规标识器，同时在常规操作期间可能出现的低水平磁场中不发生意外退活化，因此，该权利要求31得到了说明书的支持，符合《专利法》第二十六条第四款规定，同理，其从属权利要求32和33也符合《专利法》第二十六条第四款规定。
权利要求36是权利要求30的从属权利要求，其进一步限定所述AC磁场的一定峰值幅度范围由5 Oe至15 Oe，经过与权利要求30类似的分析可知，本领域技术人员可以合理预测在完全磁化且未设在标识器中时曝露于5至15 Oe 的AC磁场中时磁化水平产生明显降低，而当完全磁化且设在标识器中与磁致伸缩元件相邻处时曝露在相同AC磁场中时磁化水平基本不受AC磁场影响的偏磁元件单独设置时会在远小于60 Oe的AC退磁化磁场中发生退磁化，其矫顽力应当小于60 Oe，因此采用该偏磁元件的标识器能够通过以常规标识器小的退活化磁场实现退活化；另外，由于该偏磁元件在置于标识器中时在5 至15 Oe的AC退活化磁场中其磁化基本不受AC磁场影响，因此可以预测采用该偏磁元件的标识器在小于5 Oe的AC退活化磁场中基本不发生退活化，即，能够在常规操作期间所可能出现的低水平磁场中不发生意外退活化。综上所述，根据说明书充分公开的内容，本领域技术人员能够合理预测权利要求36所限定的技术方案均能够解决本发明所要解决的技术问题，并获得预期的技术效果，该权利要求36得到了说明书的支持，符合《专利法》第二十六条第四款的规定。
八、关于权利要求37－47是否符合《专利法》第二十六条第四款的规定
请求人指出，权利要求37中的特征“将所述标识器曝露在其峰值幅度低于150 Oe的AC磁场中的方式，对所述EAS标识器实施退活化”没有以说明书为依据来限定AC退活化磁场强度的范围，不符合《专利法》第二十六条第四款的规定；同理，权利要求42、44中也未以说明书为依据来限定AC退活化磁场强度的范围，得不到说明书的支持；从属权利要求38－41、43、45－47因而也不符合《专利法》第二十六条第四款的规定。
专利权人认为：本专利说明书的各个实施例公开了使用小于100、30 Oe的AC退磁化磁场，因此该权利要求37的技术方案得到了说明书各个实施例充分支持，符合《专利法》第二十六条第四款的规定；同理，其从属权利要求38－47也符合《专利法》第二十六条第四款的规定。
专利复审委员会认为：
（一）本专利权利要求37请求保护一种对使用在磁力式EAS系统中的EAS标识器实施活化和退活化用的方法，其中要提供由非结晶型磁致伸缩元件和配置在与磁致伸缩元件邻接处的偏磁元件构成的标识器，并且在磁化偏磁元件使得在EAS系统的运行频率下形成共振，然后通过将标识器曝露在其峰值幅度低于150 Oe的AC磁场中的方式对EAS标识器实施退活化，该权利要求37覆盖了所有提供在峰值幅度低于150 Oe的AC磁场中实现退活化的标识器的技术方案。本专利说明书中充分公开了一种利用Metglas2605SB1材料制作标识器偏磁元件的技术方案能够使标识器的退活化磁场小于利用Hc大于60 Oe的偏磁材料的常规标识器，其中SB1的矫顽力Hc约为19 Oe，标识器在约50 Oe的AC退磁化磁场下基本实现退活化；然而同时，说明书中记载了一种对利用矫顽力Hc 为70－80 Oe的半硬化材料SemiVac 90为偏磁元件的标识器实施退活化的方法，其中指出为获得共振频率相对于标准操作频率的最大漂移（即实现标识器的完全退活化）需要施加约140－150 Oe的AC退磁化磁场。本领域技术人员根据说明书的公开的上述内容难以预测低于150 Oe的AC退活化磁场必然小于使利用Hc大于60的偏磁材料的标识器所需要的退活化磁场，即，该权利要求37限定的技术方案中包含了专利权人推测且效果难以确定的内容；另外，该权利要求37限定的范围中还包含以软磁材料制作偏磁元件及以Hc小于60 Oe且退磁化曲线平缓的半硬化材料制作偏磁元件的技术方案，这些技术方案虽然能够通过小于常规标识器的退活化磁场实现标识器的退活化，但难以确保在常规操作期间可能出现的低水平磁场下不发生意外退磁化，即，不能解决本发明所要解决的技术问题和获得预期的技术效果。由此可见，该权利要求37限定的技术方案中既包含了专利权人推测、效果难以确定的内容，又覆盖了不能解决本发明所要解决的技术问题且达到预期技术效果的实施方式，因此，得不到说明书的支持，不符合《专利法》第二十六条第四款的规定。
权利要求38和39是直接或间接引用权利要求37的从属权利要求，其分别限定了标识器暴露在峰值幅度等于或低于4 Oe的AC磁场中时和暴露在峰值幅度等于或低于20 Oe的AC磁场中时共振特性不会发生变化，而通过与前面关于权利要求37相似的分析可以得出，权利要求38和39限定的技术方案中仍包含了专利权人推测且效果难以确定的内容，得不到说明书的支持，不符合《专利法》第二十六条第四款的规定。
权利要求40是引用权利要求38的从属权利要求，其限定了标识器暴露在峰值幅度等于或低于4 Oe的AC磁场中时共振特性不会发生变化，且标识器的退活化是在峰值幅度低于100 Oe的AC磁场中实现的。通过与前面关于权利要求37相似的分析可以得出，本领域技术人员根据说明书公开的上述内容难以预测低于100 Oe的AC退活化磁场必然小于使利用Hc大于60 Oe的偏磁材料的标识器所需要的退活化磁场，权利要求40限定的技术方案中仍包含了专利权人推测且效果难以确定的内容，得不到说明书的支持，不符合《专利法》第二十六条第四款规定。
权利要求41是引用权利要求40的从属权利要求，其限定了标识器暴露在峰值幅度等于或低于12 Oe的AC磁场中时共振特性不会发生变化，而通过与前面关于权利要求40相似的分析可以得出，权利要求41限定的技术方案中仍包含了专利权人推测且效果难以确定的内容，得不到说明书的支持，不符合《专利法》第二十六条第四款的规定。
权利要求42是权利要求37的从属权利要求，其进一步限定退活化步骤是通过将标识器暴露在其峰值幅度低于30 Oe的AC磁场中的方式实施的，因此该权利要求42覆盖了所有提供在峰值幅度低于30 Oe的AC磁场中实现退活化的标识器的技术方案，显然，在这种方案下实现退活化所需要的AC磁场必然小于常规标识器，然而该权利要求42限定的范围中还包含以软磁材料制作偏磁元件及以Hc小于30 Oe且退磁化曲线平缓的半硬化材料制作偏磁元件的技术方案，这些技术方案虽然能够通过小于常规标识器的退活化磁场实现标识器的退活化，但难以确保在常规操作期间可能出现的低水平磁场下不发生意外退磁化，即，不能解决本发明所要解决的技术问题和获得预期的技术效果。由此可见，该权利要求42限定的技术方案中覆盖了不能解决本发明所要解决的技术问题且达到预期技术效果的实施方式，因此，得不到说明书的支持，不符合《专利法》第二十六条第四款规定；基于类似的理由，引用权利要求37的从属权利要求44、46、47也不符合《专利法》第二十六条第四款规定。
由于权利要求37－42、44、46－47不符合《专利法》第二十六条第四款的规定，因此专利复审委员会不再对有关权利要求37－42、44、46－47的其他无效理由进行评述。
（二）权利要求43是引用权利要求42的从属权利要求，其限定了退活化步骤是通过将标识器暴露在其峰值幅度低于30 Oe的AC磁场中的方式实施的且在峰值幅度为4 Oe的AC磁场下标识器的共振频率不发生变化。如前所述，标识器在峰值幅度低于30 Oe的AC磁场中实现退活化的技术方案实现退活化所需要的AC磁场必然小于常规标识器，同时权利要求43中限定了在峰值幅度为4 Oe的AC磁场中时标识器的共振频率不发生变化，由本专利说明书中关于SB1作为偏磁元件的实施例可知（例如参见图6），SB1材料的偏磁元件在峰值幅度为4 Oe的AC退磁化磁场中时，磁化水平保持在完全磁化水平的95％以上，即，标识器的共振频率基本不发生变化，由此可以推知，该权利要求限定的标识器能够在常规操作期间可能出现的低水平磁场下不发生意外退磁化。由此可见，本领域技术人员可以合理预测权利要求43所覆盖的技术方案均能够解决本发明所要解决的技术问题，并获得预期的技术效果，因此，该权利要求43能够得到说明书的支持，符合《专利法》第二十六条第四款的规定；基于类似的理由，引用权利要求44的从属权利要求45也符合《专利法》第二十六条第四款的规定。
基于上述事实和理由，专利复审委员会决定：宣告本专利权利要求1－4、6、7、9－12、14－18、20－26、29、30、34、35、37－42、44、46－47无效，在权利要求5、8、13、19、27、28、31－33、36、43和45的基础上维持专利权继续有效。
上述事实有第18161号决定及当事人陈述等证据在案佐证。
本院认为：
根据《中华人民共和国立法法》第八十四条[12]并参照国家知识产权局制定的《施行修改后的专利法的过渡办法》的规定，本案应适用2001年7月1日实施的《专利法》进行审理。《专利法》第二十六条第四款规定：“权利要求书应当以说明书为依据，说明要求专利保护的范围。”权利要求书应当以说明书为依据，是指权利要求书中的每一项权利要求所要求保护的技术方案均应当是所属技术领域的技术人员能够从说明书充分公开的内容中得到或概括得出的技术方案，并且不得超出说明书公开的范围。如果权利要求所保护的范围超出了说明书所公开的范围，则该权利要求未以说明书为依据。基于新材料的选择形成的发明创造，权利要求的保护范围应当限于对该新材料或其明显等同替换材料的保护，即本领域技术人员根据权利要求的记载应当能够确定该权利要求保护的对象正是该新材料或其明显等同替换材料。如果说明书仅仅是基于该新材料的选择来阐述其技术内容，而权利要求仅仅是记载了该新材料的部分属性或特征，而本领域技术人员通常认为仅仅依据权利要求中记载的这些属性或特征并不能直接推导出该新材料，还可能包括具备该属性或特征的其他材料，且本领域技术人员并不能确定该其他材料同样具备该新材料的全部功能时，则可表明权利要求所保护的基于新材料选择的发明超出了说明书所记载的新材料的范围，即此时通常可以认定权利要求保护的技术方案超出了说明书记载的范围，亦即权利要求未以说明书为依据。
本案中，从本专利说明书的记载来看，传感电子公司基于其对三种物质材料的选择，发现了其所选择的新材料在低场稳定性、漂移梯度、矫顽磁力等方面相对于现有技术具有一定的优势，具有更适宜使用于磁力式电子货品监视系统中的标识器的特性，故本专利说明书从低场稳定性、漂移梯度、矫顽磁力等方面限定了其选择的物质材料。本领域技术人员在阅读了本专利说明书后，可以清楚地认识到传感电子公司的技术贡献在于将其所选择的物质材料适用于磁力式电子货品监视系统中的标识器。但是，本专利权利要求1－4、6、7、9－12、14－18、20－26、29、30、34、35、37－42、44、46－47却未如说明书那样从低场稳定性、漂移梯度、矫顽磁力等方面限定其选择的物质材料，而是选择了部分参数与或指标来限定适用于磁力式电子货品监视系统中标识器的物质材料。显然，当传感电子公司在本专利权利要求中选择部分参数与或指标来限定适用于磁力式电子货品监视系统中标识器的物质材料时，本领域技术人员有合理理由质疑仅具备其中部分参数与或指标的物质材料可能并不限于传感电子公司在本专利说明书中所列举的三种物质材料，传感电子公司也并未提供有效证据证明具备本专利权利要求1－4、6、7、9－12、14－18、20－26、29、30、34、35、37－42、44、46－47中记载的部分参数或指标的物质材料仅仅限于其在本专利说明书中所列明的三种物质材料。而仅仅具备本专利说明书所列举的三种物质材料部分参数或指标的其他物质材料是否同样具备更适宜使用于磁力式电子货品监视系统中标识器的特性，却不是传感电子公司的技术贡献，本专利说明书也未予以记载。事实上传感电子公司的技术贡献仅在于发现了本专利说明书所列举的三种物质材料具有更适宜使用于磁力式电子货品监视系统中的标识器的特性。因此，本专利权利要求在限定更适宜使用于磁力式电子货品监视系统中的标识器的物质材料时，可能包括了传感电子公司在说明书中公开的三种物质材料之外的物质材料，故其超出了本专利说明书的公开范围。在此基础上，原审法院及专利复审委员会认定本专利权利要求1－4、6、7、9－12、14－18、20－26、29、30、34、35、37－42、44、46－47未以说明书为依据是恰当的，传感电子公司有关本专利权利要求1－4、6、7、9－12、14－18、20－26、29、30、34、35、37－42、44、46－47符合《专利法》第二十六条第四款规定的上诉理由缺乏依据，本院不予支持。
此外，传感电子公司虽主张专利复审委员会错误认定本专利说明书所记载的实施例一和实施例三公开不充分，但如上所述，即便本专利说明书所记载的三个实施例不存在公开不充分的问题，其也仅仅是说明了传感电子公司所选择的三种物质材料具有更适宜使用于磁力式电子货品监视系统中的标识器的特性，并不能克服本专利权利要求未以说明书为依据的缺陷。还应当指出的是，专利复审委员会基于本专利说明书记载的背景技术指出现有技术中存在的问题，并在本专利说明书从低场稳定性、漂移梯度、矫顽磁力等方面限定其选择的物质材料的基础上，在第18161号决定中认定本专利所要解决的技术问题或要得到的技术效果是获得在常规操作期间不被意外退活化、同时退活化磁场小于利用Hc≥60 Oe的偏磁元件的常规标识器的标识器，而不只是单独地要去解决现有技术中使用到的某种偏磁元件材料的DC饱和磁场过高（≥450 Oe）或实现95％退磁化需要的AC退磁化磁场过大（约为200 Oe）的问题。应当说，专利复审委员会对本专利所要解决的技术问题的认定是正确的。如前所述，由于本专利权利要求并未以说明书为依据，故传感电子公司有关专利复审委员会对本专利所要解决的技术问题的认定错误，本案应当基于专利复审委员会在评价本专利创造性时所认定的本专利相对于现有技术的区别技术特征来确定本专利所要解决的技术问题的主张缺乏依据，本院不予支持。
综上，传感电子公司的上诉主张因依据不足不能成立，其上诉请求本院不予支持。原审判决认定事实清楚，适用法律正确，审理程序合法，判决结果并无不当，依法应予维持。依据《中华人民共和国行政诉讼法》第六十一条第（一）项[13]之规定，判决如下：
驳回上诉，维持原判。
一、二审案件受理费各人民币一百元，均由传感电子有限责任公司负担（均已交纳）。
本判决为终审判决。
审判长 刘晓军
代理审判员 袁相军
代理审判员 马军
二○一三年十二月三十日
本件与原本核对无异
书记员 张见秋