更新时间：2018-12-28 14:41:25
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前言
序言
绪论
本章小结
习题
第1章 硅材料及衬底制备
1.1 半导体材料的特征与属性
1.2 半导体材料硅的结构特征
1.3 半导体单晶制备过程中的晶体缺陷[4][5]
1.4 集成电路技术的发展和硅材料的关系
1.5 关于半导体硅材料及硅衬底晶片的制备
1.6 半导体硅材料的提纯技术
1.7 直拉法生长硅单晶
1.8 硅单晶的各向异性特征在管芯制造中的应用
本章参考文献
第2章 外延生长工艺原理
2.1 关于外延生长技术
2.2 外延生长工艺方法概论
2.3 常规硅气相外延生长过程的动力学原理[10][11]
2.4 常规硅气相外延生长过程的结晶学原理
2.5 关于气相外延生长的工艺环境和工艺条件[13][14][15]
2.6 发生在硅气相外延生长过程中的二级效应[21]
第3章 氧化介质薄膜生长
3.1 氧化硅介质膜的基本结构
3.2 二氧化硅介质膜的主要性质
3.3 氧化硅介质膜影响杂质迁移行为的内在机理
3.4 氧化硅介质膜的热生长动力学原理
3.5 典型热生长氧化介质膜的常规生长模式
第4章 半导体的高温掺杂
4.1 固体中的热扩散现象及扩散方程
4.2 常规高温热扩散的数学描述[10][11]
4.3 常规热扩散工艺简介
4.4 实际扩散行为与理论分布的差异
4.5 扩散行为的仿真及影响扩散行为的效应
4.6 深亚微米工艺仿真系统所设置的小尺寸效应模型
第5章 离子注入低温掺杂
5.1 离子注入掺杂技术的特点
5.2 关于离子注入技术的理论描述
5.3 离子注入损伤
5.4 离子注入退火
5.5 离子注入设备
5.6 离子注入的工艺实现
第6章 薄膜气相淀积工艺
6.1 常用的几种化学气相淀积方法[1][2][3][4]
6.2 晶圆CVD加工需求最多的几种介质薄膜
6.3 化学气相淀积的安全性[15][16][17][18]
第7章 图形光刻工艺原理
7.1 引言
7.2 关于光致抗蚀剂
7.3 典型的光刻工艺原理
第8章 掩模制备工艺原理
8.1 集成电路掩模版制备简述[1][2][3][4]
8.2 光刻掩模版设计和制备的基本过程
8.3 当代计算机辅助掩模制造技术
第9章 集成电路工艺仿真[1][2][3][4][5]
9.1 引言
9.2 集成电路工艺仿真系统简介
9.3 集成电路制造平面工艺一维仿真系统SUPREM-2
9.4 集成电路制造平面工艺二维仿真系统TSUPREM-4[6][7]
第10章 集成结构测试图形
10.1 引言
10.2 微电子测试图形的配置及作用
10.3 常用的微电子测试结构及其测试原理
10.4 微电子测试图形在集成电路工艺流片监控中的应用
第11章 电路管芯键合封装
11.1 集成电路晶圆芯片的减薄及划片技术
11.2 集成电路晶圆管芯的装片技术
11.3 集成电路管芯内引线键合工艺
11.4 集成电路管芯的外封装技术
