1.3.2 半导体二极管的主要参数

1.直流电阻RD

当二极管外加直流偏置电压UD时，将有直流电流ID，此时二极管等效为一个直流电阻RD，且

从特性曲线可以看出，RD不是恒定值，呈现非线性。正向的RD随工作电流增大而减小，反向的RD随反向电压增大而增大。由图1.3.3a可知，RD的几何意义是Q点（UD，ID）到原点直线斜率的倒数。显然，图中Q1点处的RD小于Q2点处的RD。

2.交流电阻rD

由上面的分析知道，当二极管外加直流电压时就会有直流电流，曲线上反映该电压和电流的点为Q点。若在Q点基础上外加微小的变化电压Δu，也会引起电流的微小变化量Δi，如图1.3.3b所示。由于变化量较小，可以用以Q点为切点的直线来近似表示微小变化的曲线，即在微小电压作用下的二极管可以等效为一个交流电阻rD，且

rD的几何意义见图1.3.3b，即二极管伏安特性曲线上Q点（UD，ID）处切线斜率的倒数。根据二极管的伏安特性方程式（1.2.1），可以求出

从图中看出，在不同工作点Q，二极管呈现的交流电阻rD不是恒定值，具有非线性特性。同时，在同一工作点处交流和直流电阻也不相同，而我们以前学到的电阻通常是线性电阻，无论在哪一个工作点其交流电阻和直流电阻均相等，因此在以前的学习中不特别强调是直流电阻还是交流电阻。

例1.3.1 如图1.3.4所示，已知VD为硅二极管，室温下流过VD的直流电流ID=10mA，交流电压Δu=10mV，流过VD的交流电流Δi是多少？

解：根据室温下的UT和流过二极管的直流电流IDQ，可以计算出二极管的交流电阻

交流电流Δi为总的交流电压Δu除以回路的交流电阻，即

其中，电阻R的交流电阻和直流电阻都为0.93kΩ，因此

3.最大整流电流IFM

IFM指二极管长期工作时允许通过的最大正向平均电流，其大小由PN结的结电压和外界散热条件决定。

4.最大反向工作电压URM

URM指二极管工作时所允许加的最大反向电压，超过此值容易发生反向击穿。通常取UBR的一半作为URM。

5.反向电流IR

IR指二极管未击穿时的反向电流。IR越小，单向导电性能越好。IR与温度密切相关，使用时应注意IR的温度条件。

6.最高工作频率fM

fM是与结电容有关的参数。工作频率超过fM时，二极管的单向导电性能变差。需要指出，由于器件参数分散性较大，手册中给出的一般为典型值，必要时应通过实际测量得到准确值。另外，应注意参数的测试条件，当运用条件不同时，应考虑其影响。

器件参数是定量描述器件性能质量和安全工作范围的重要数据，也是我们合理选择和正确使用器件的依据。参数一般可以从产品手册中查到，也可以通过直接测量得到。对于二极管的使用，应特别注意不能超过最大整流电流IFM和最大反向工作电压URM，否则容易损坏二极管。