3.1 亚微米CMOS（A）

电路采用0.8μm设计规则，使用Submiron CMOS（A）制造技术。该电路典型元器件、制造技术及主要参数如表3-1所示。制程完成后，在硅衬底上形成亚微米CMOS芯片中的各种元器件，并使之互连，实现所设计电路，该电路或各层版图已变换为缩小的各层平面和剖面结构图形的芯片。如果得到的工艺参数与电学参数都符合所设计电路的要求，则芯片功能和电气性能都能达到设计指标。

表3-1 工艺技术和芯片中主要元器件

*表中参数符号与第2章各表相同。