2.2.2 工艺技术

设计电路工艺技术概要如表2-2所示。为实现P-Well CMOS（B）技术，引入一些基本工艺，对P-Well CMOS（A）制造工艺做如下改变。

（1）消去与电阻/二极管组成的输入端栅保护有关的工艺及其结构。

（2）N-型硅衬底中进行11B+注入，生成P-Well区的同时，引入并形成P-Well电阻。

（3）预栅氧化后，引入P-Well中31P+注入，生成CN+区，形成电容区的下电极。

（4）引入N沟道区75As+或31P+注入，生成沟道耗尽区，形成耗尽型NMOS。

（5）源漏N+区注入前，引入NLDD 31P+注入，TEOS淀积并刻蚀形成侧墙，生成低掺杂SN-区，缩小MOS器件优越性能。上述消去与引入的基本工艺，使P-Well CMOS（A）芯片剖面结构和制程都发生了明显的变化。工艺完成后，制得NMOS、PMOS、耗尽型NMOS、P-Well电阻及Cs衬底电容等，并用P-Well CMOS（B）来表示。

根据 P-Well CMOS（B）电路电气性能指标及与制造密切相关的各种参数，确定用于芯片制造的基本参数，如表2-2所示。制造工艺中，对下列参数提出严格要求。

（1）工艺参数：各种掺杂浓度及其分布，X_jPW、X_jCN+、X_jN+、X_jP+等结深，T_F-Ox、T_G-Ox、T_Poly-Ox等氧化层厚度。

（2）电学参数：U_TN、U_TP、U_TND等阈值电压，R_SPW、R_SCN+、R_SN+、R_SP+等薄层电阻，BU_DSN、BU_DSP等源漏击穿电压。

（3）硅衬底电阻率（ρ）等。

制定出各工序具体的工艺条件，以保证所要求的各种参数都达到规范值。

芯片批量生产时，保持各批次制程的均一性相当重要。从投片到产出包括许多步骤，必须使用制程控制各工序的质量，以便使工艺参数和电学参数都达到规范值，生产出高质量芯片。

从制程剖面结构图（图2-4）中可以看出，制程中需要进行13次光刻。光刻中的对准曝光要严格对准、套准，并使之在确定的误差以内。

图2-4 P-Well CMOS（B）制程剖面结构示意图（参阅附录B-[2，3，4，6，13，15，16]）

图2-4 P-Well CMOS（B）制程剖面结构示意图（参阅附录B-[2，3，4，6，13，15，16]）（续）