1.8 CMOS集成电路工艺设计

集成电路工艺设计，一是要满足工艺参数和电学参数设计的要求，使之达到规范值，二是要保证电路具有高成品率、高性能及高可靠性。

集成电路工艺设计就是根据电路结构及其电气特性的指标，提出对制造工艺参数（如杂质浓度及其分布、结深、栅氧化层厚度等）和电学参数（薄层电阻、源漏击穿电压、阈值电压、跨导等）的要求，制定出具体的工艺条件，以保证达到所要求的各种参数规范值，从而设计出合理的制程，以保证实现高成品率、高性能及高可靠性。例如，对于P-Well CMOS工艺，重要的工艺参数有P-Well的表面浓度（通常用薄层电阻R_SPW来表示）及其阱深X_jPW，源漏扩散的表面浓度（薄层电阻R_SN+、R_SP+）及其结深X_jN+、X_jP+，MOS管阈值电压（U_TN、U_TP），场阈值电压（U_TNFSi、U_TPFSi、U_TNFAl、U_TPFAl），源漏击穿电压（BU_DSN、BU_DSP），栅氧化层厚度T_G-Ox及其击穿电压BU_G-Ox，场区氧化厚度T_F-Ox，多晶硅厚度T_Poly，重掺杂多晶硅的薄层电阻R_SN+Poly、R_SP+Poly，互连金属条厚度T_Al及衬底材料的电阻率ρ和晶向等。