1.3.2 可靠性与阱技术

以抑制衬底寄生双极型效应所产生的闩锁效应和辐射损伤等软故障为目的的阱结构广泛应用于集成电路制造中。如果产生的热载流子或由于放射线照射在衬底上产生的剩余少数载流子流入器件有源区，则这些载流子将会引起寄生双极型现象，导致电路的闩锁，剩余少数载流子还可能引起存储单元数据的变化。随着集成电路的超高集成化，器件尺寸缩小，这些问题将会变得更加突出。图1-8分别表示通常的正向阱、高能离子注入形成的逆向阱及外延衬底上的载流子分布。相对于正向阱来说，逆向阱是一种阱深部载流子浓度高的结构，因此它能够阻止载流子从衬底流入。而在外延衬底中，由于采用高浓度衬底，剩余少数载流子的寿命短，所以也能够防止载流子的流入。取代通常的正向双阱结构的是离子注入的逆向双阱结构，增加P+埋层的逆向双阱结构，以及由P+埋层进行隔离的逆向双阱结构，不用外延衬底工艺，都能够制造出抗闩锁特性和抗软故障性能优良的器件。

图1-8 阱结构比较