集成电路的有源区与衬底内部的隔离，可以通过将PN结反向偏置的方法来实现。但是，为了在水平方向上将器件隔离，一般采用氧化层。本节介绍用于器件隔离的局部氧化（LOCOS）和浅槽隔离工艺。在BiCMOS制造技术中，还要使用LOCOS和IP+（为了与P+源漏相区分）隔离技术。
