3.6.1 LTPO集成结构

因为LTPS TFT通常采用共平面结构，而AOS TFT采用反向堆叠型结构或共平面结构，所以LTPO的集成可采用如图3-12所示的两种方式。由于AOS的工艺温度较低，因此在两种集成方式中，AOS的工艺都是在LTPS之后进行的。图3-12（a）采用了反向堆叠型结构AOS TFT，可以与LTPS TFT共用栅极层，从而减少工艺步骤和掩模版的数目，但需要考虑对两个器件性能优化的互相影响。图3-12（b）采用了共平面结构AOS TFT，两个器件无共用的膜层，相对独立，便于各自性能的分别优化，但需要更多的工艺步骤，并且会增加制造的复杂性和成本。在所报道的LTPO显示面板技术中，JDI的AMLCD面板和Sharp的AMOLED面板采用的是共平面结构AOS TFT，而AUO的AMLCD面板采用的是反向堆叠型结构AOS TFT。国内显示企业针对LTPO集成所面对的氢对AOS TFT产生的影响、复杂集成结构带来的应力问题及节省掩模版开展了相关的技术研发。利用 LTPO 构建互补型电路具有噪声容限高、增益高、静态功耗低等优点，能够提高电平转换电路输出电压摆幅，从而有望用于实现高性能、低功耗的GOA电路。此外，利用LTPS TFT和AOS TFT的关态漏电流对温度变化不同的敏感特性，可以设计实现基于LTPO的集成式温度传感阵列，以应用于高电流密度的显示面板（如Micro-LED）中温度的监控。

图3-12 基于不同结构AOS TFT的LTPO集成方式