2-45 场效应晶体管的主要参数有哪些？

1.跨导g_m

g_m是指U_DS为某一固定值时，栅源电压对漏极电流的控制能力，定义为

g_m的单位为mA/V。从转移特性曲线上看，跨导就是工作点处切线的斜率。

2.直流输入电阻R_GS

栅源电压与栅极电流的比值称为直流输入电阻，其值一般大于10⁹Ω。

3.漏极饱和电流I_DSS

当栅源电压U_GS=0，漏-源极间加上规定电压值时，所产生的漏极电流称为漏极饱和电流，此参数只对耗尽型MOSFET才有意义。

4.漏极最大耗散功率P_DM

P_DM是漏极耗散功率P_D=U_DSI_D的最大允许值，是从发热角度对场效应晶体管提出的限制条件。

场效应晶体管与晶体管的导电原理不同。晶体管中有电子和空穴两种载流子参与导电。在场效应晶体管中，只有一种载流子参与导电，NMOSFET是电子，PMOSFET是空穴。因此将晶体管称作双极型晶体管，场效应晶体管称为单极型晶体管。

由于绝缘栅型场效应晶体管的输入电阻很高，因静电感应等原因，在栅极上积存的电荷很难泄放掉，容易造成栅压升高将绝缘层击穿，因此任何时候都不能将栅极悬空。存放时应将各电极短接在一起；在电路应用中应有固定电阻或稳压二极管并联，以保证有一定的直流通道；焊接时电烙铁的外壳必须可靠接地。