国际半导体技术发展路线图（ITRS）报告中把TSV定义为：连接硅圆片两面并与硅衬底和其他通孔绝缘的电互连结构［40］。由此可见，TSV是一种垂直互连结构，特点是穿透硅衬底，并实现从对应电路层一面到另一面的电气连接。根据TSV的定义，可以知道TSV的基本结构包括穿透硅衬底的导电通道及与衬底间的绝缘隔离层，如图2-1所示。为了实现衬底上下面的电气连接，还需要有正面和背面的互连层，以实现信号的互连和再分布。
图2-1 TSV基本结构示意图
