4.4　本章小结

本章采用溅射CZT金属前驱体后硒化的两步法制备了CZTSe薄膜。其中硒化压强在1～4 mbar区间调整以研究其对CZTSe薄膜性质的影响。制备出的薄膜表面较为粗糙，晶粒大小不一，当硒化压强增加时，薄膜表面更加致密紧致。薄膜中各组分的比例接近CZTSe的化学计量比。随着硒化压强的升高Cu/（Zn+Sn）的比例由0.82增加到1.04。

所有的CZTSe样品都呈现出p型导电性，迁移率在1 cm2/（V·s）的量级。测得薄膜中载流子浓度在1019～1020量级，大于其他文献报道，可能是由于Cu2Se杂相的存在导致。经过KCN溶液刻蚀后，载流子浓度下降约一个数量级。

经测试CZTSe的禁带宽度为0.92eV。