2.5.2 IGBT的使用

由于IGBT模块为MOSFET结构，IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄，其击穿电压一般为20～30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。因此使用中要注意以下几点：

在使用模块时，尽量不要用手触摸驱动端子部分，当必须要触摸模块端子时，要先将人体或衣服上的静电用大电阻接地进行放电后，再触摸；在用导电材料连接模块驱动端子时，在配线未接好之前不要接上模块；尽量在底板良好接地的情况下操作。在应用中有时虽然保证了栅极驱动电压没有超过栅极最大额定电压，但栅极连线的寄生电感和栅极与集电极间的电容耦合，也会产生使氧化层损坏的振荡电压。为此，通常采用双绞线来传送驱动信号，以减少寄生电感。在栅极连线中串联小电阻也可以抑制振荡电压。

在使用IGBT的场合，当栅极回路不正常或栅极回路损坏时（栅极处于开路状态），若在主回路上加上电压，则IGBT就会损坏。为防止此类故障，应在栅极与发射极之间串接一只10kΩ左右的电阻。

在安装或更换IGBT模块时，应十分重视IGBT模块与模块片的接触面状态和拧紧程度。为了减少接触热阻，最好在模块器与IGBT模块间涂抹导热硅脂。一般模块片底部安装有模块风扇，当模块风扇损坏中模块片不良时将导致IGBT模块发热，而发生故障。因此对模块风扇应采用专门的电路进行检查，一般在模块片上靠近IGBT模块的地方安装有温度感应器，当温度过高时将报警或使IGBT模块停止工作。

IGBT极性判断：对IGBT进行检测时，应选用指针式万用表。首先将万用表拨到R×1kΩ档，用万用表测量各极之间的阻值，若某一极与其他两极阻值为无穷大，调换表笔后该极与其他两极的阻值仍为无穷大，则此极为栅极（G）。再用万用表测量其余两极之间的阻值，若测得阻值为无穷大，调换表笔后阻值较小，当测量阻值较小时，红表笔接触的为集电极（C），黑表笔接触的为发射极（E）。

IGBT好坏的判断：判断IGBT好坏时必须选用指针式万用表。首先将万用表拨到R×10kΩ档，黑表笔接IGBT的集电极（C），红表笔接IGBT的发射极（E），此时万用表的指针在零位。用手指同时触及一下栅极（G）和集电极（C），这时IGBT被触发导通，万用表的指针明显摆动并指向阻值较小的方向并能维持在某一位置。然后再用手指同时触碰一下栅极（G）和发射极（E），这时IGBT被阻断，万用表的指针回零。在检测中以上现象均符合，可以判定IGBT是好的，否则该IGBT存在问题。