5.8 表面复合引起的界面电流

本节讨论厚度为Δx的表面薄层中单位时间、单位面积上载流子复合的情况。

在p型半导体中，按照式（5-163），表面复合率为

从连续性方程可知，少子向表面流失会引起表面复合电流。在热平衡状态下，稳态又无外界作用时，即无光照或外加电压时，G_n=0，按式（5-182）可得：

对薄层Δx积分后，得到在界面位置x_s处电子电流的变化量为

如果界面是n型半导体表面，，那么表面的电子电流密度为

式中，负值表明电子电流密度J_n的方向与少子（即电子）发生表面复合的运动方向相反。

类似地，在n型半导体的表面上，空穴电流的变化量为

如果界面是p型半导体表面，，那么表面的空穴电流为

空穴电流J_p的方向与少子（即空穴）发生表面复合的运动方向相同。

上述公式也很重要，在求解基本方程时，这些公式是太阳电池表面的边界条件。