2.3 小结

本章内容主要介绍了双极型晶体管原理，以及CMOS、HV-CMOS和BCD工艺技术平台的寄生PNPN结构。

虽然理论上可以提取版图中寄生双极型晶体管的参数，再通过的寄生双极型晶体管的模型进行电路仿真，并利用触发闩锁效应的条件β_nβ_p≥1，就可以判断版图潜在的发生闩锁效应的风险和概率，但是每种工艺技术平台的寄生双极型晶体太多，版图千变万化，如果要建立它们的精确模型，需要投入很大资源，权衡收益和投入，收效太少，目前业界尚没有一个Foundry这样做。