1.5 思考与练习

一、单项选择题

1．如图1-34所示，电路中所有的二极管都为理想二极管（即二极管正向压降可忽略不计），则哪个选项对VD₁、VD₂和VD₃的工作状态判断正确？（　　）

A. VD₁、VD₂导通，VD₃截止

B. VD₁、VD₃导通，VD₂截止

C. VD₁、VD₂截止，VD₃导通

D. VD₁、VD₃截止，VD₂导通

2．如图1-35所示，电路中所有的二极管都为理想二极管，且L₁、L₂、L₃、L₄四盏灯都相同，则（　　）灯最亮。

A. L₁

B. L₂

C. L₃

D. L₄

3．在如图1-36所示的电路中，已知E=10V、稳压管VZ₁和VZ₂的稳定电压分别为5V和3V、正向压降都是0.7V，则A、B两点间的电压U_o为（　　）。

A. -2.3V

B. 4.3V

C. 2.3V

D. -4.3V

4．下面关于二极管的表述不正确的是（　　）。

A. 具有单向导电性

B. 由硅材料和锗材料构成

C. 既有点接触型，也有面接触型

D. 只能反向击穿时工作，不能加正向电压

5．某电路如图1-37所示，稳压二极管VZ₁的稳定电压为9V，VZ₂的稳定电压为6V，它们的正向压降都是0.7V，则电压U_o为（　　）。

A. 2.5V

B. 3.5V

C. 6V

D. 8.5V

6．当晶体管工作在饱和区时，其外部条件是（　　）。

A. 发射结反偏，集电结正偏

B. 发射结正偏，集电结正偏

C. 发射结正偏，集电结反偏

D. 发射结反偏，集电结反偏

7．测得某晶体管在放大电路中的引脚①②③电位（对“参考地”）如图1-38所示。那么，该晶体管是什么类型？是由什么材料构成的？（　　）

A. PNP型，硅

B. PNP型，锗

C. NPN型，锗

D. NPN型，硅

8．已知某晶体管的三个参数：P_CM=100mW，I_CM=20mA，U_（BR）CEO=12V，下面四组选项是该晶体管在不同电路中工作时所测得数据，试问哪个选项反映该晶体管工作在安全工作区。（　　）

A. U_CE=10V，I_C=9mA

B. U_CE=12V，I_C=40mA

C. U_CE=10V，I_C=15mA

D. U_CE=16V，I_C=2mA

二、计算题

1．如图1-39所示的各电路中，已知E=8V、u_i=16sinωtV、二极管VD为理想二极管。试分别画出电压u_o的波形。

2．某电路如图1-40a所示，已知正弦交流电压u_i=9sinωtV，三个电阻R的数值相同，且两个二极管VD₁和VD₂为理想二极管。试在图1-40b所示的坐标系中画出电压u_o的波形。

3．电路如图1-41所示，设VD₁和VD₂为理想二极管，试画出当u_i=20sinωtV时的输出电压u_o的波形。

4．电路如图1-42所示，已知E=5V、u_i=10sinωtV。二极管的正向压降可忽略不计。试分别画出电压u_o的波形。

5．电路如图1-43所示，已知限流电阻R=10kΩ、二极管VD₁、VD₂和VD₃为理想的二极管、E₁=3V、E₂=10V、E₃=7V。判断三只二极管的导通状态，并求出流过电阻R的电流I的大小。

6．电路如图1-44所示，已知二极管VD₁、VD₂、VD₃和VD₄为理想二极管、电阻R=1kΩ、正弦交流电压u_i=10sinωtV。试画出u_o的波形。

7．电路如图1-45所示的电路中，已知E=10V稳压管VZ₁和VZ₂的稳定电压分别为5V和8V、正向电压降都是0.7V。则A、B两点间的电压U_o为多少？

8．某稳压管VZ₁和VZ₂的稳定电压分别为5V和3V，它们的正向压降为0.7V，电阻R₁=R₂=0.5kΩ。试求图1-46中各电路的输出电压U_o的大小。

9．分别测得正常工作在放大电路中的两个晶体管各引脚对参考点的电位，如表1-12所示。试判断：1）是硅管还是锗管；2）是NPN型还是PNP型；3）晶体管的三个电极（B、C、E）。

三、问答题

1．什么是本征半导体？

2．既然N型半导体中的自由电子多于空穴，而P型半导体中的空穴多于自由电子，那么是否可以认为N型半导体带负电，而P型半导体带正电？

3．什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？外加正向电压导通后，硅管和锗管的正向压降的值分别约为多少？

4．在二极管上加反向电压会形成很小的反向电流。反向电流的主要特点有哪些？

5．二极管实质上就是一个PN结，其最基本的特性是什么？

6．稳压二极管的主要参数有哪些？

7．已知两个稳压管，它们的稳压值分别为7V和5V，若将它们串联使用，可获得几组不同的稳定电压值？

8．晶体管具有电流放大作用，其外部条件和内部条件各是什么？