第3章 光生伏特器件

利用光生伏特效应制造的光电敏感器件称为光生伏特器件。光生伏特效应与光电导效应同属于内光电效应，然而两者的导电机理相差很大，光生伏特效应是少数载流子导电的光电效应，而光电导效应是多数载流子导电的光电效应。使得光生伏特器件在许多性能上与光电导器件有很大的差别。其中，光生伏特器件的暗电流小、噪声低、响应速度快、光电特性的线性，以及受温度的影响小等特点是光电导器件所无法比拟的，而光电导器件对微弱辐射的探测能力和光谱响应范围又是光生伏特器件所望尘莫及的。

具有光生伏特效应的半导体材料很多，如硅（Si）、锗（Ge）、硒（Se）、砷化镓（GaAs）等半导体材料，利用这些材料能够制造出具有各种特点的光生伏特器件。其中硅光生伏特器件具有制造工艺简单、成本低等特点，使它成为目前应用最广泛的光生伏特器件。本章主要讨论典型硅光生伏特器件的原理、特性与偏置电路，并在此基础上介绍一些具有超常特性与功能的光生伏特器件及其应用。