第1章 基础+组成
1.1 基础
1 什么是晶体二极管？
晶体二极管又称为半导体二极管，简称二极管（Semicon-ductorDiode），是最简单的一种旁热式电子管。二极管由半导体单晶材料（主要是锗和硅）制成，是具有单向导电特性的两极器件（也就是在正向电压的作用下，导通电阻很小；而在反向电压作用下，导通电阻极大或无穷大），在电路中常用于检波、整流、开关、限幅、稳压、变容、发光、调制和放大等。二极管的英文字母为VD或D，它的外形如图1-1所示。
图1-1 二极管外形
1+1点拨：
二极管的识别很简单，小功率二极管的N极（负极），在二极管外表大多采用一种色圈标出来，有些二极管也用二极管专用符号来表示P极（正极）或N极（负极），也有采用符号标志为P、N来确定二极管极性的。发光二极管的正负极可从引脚长短来识别，长脚为正，短脚为负。
2 晶体二极管型号如何命名？
各国晶体二极管的型号命名不同，其命名方法如下：
（1）国产晶体二极管的型号通常由五部分组成，如表1-1所示，依次分别代表主称、材料与极性、类别、序号、规格号。
表1-1 国产晶体二极管型号命名方法
（2）美国晶体二极管的型号命名主要由四部分组成。
第一部分：类别（用数字1表示），表示晶体二极管。
第二部分：美国电子工业协会（EIA）注册标志（用字母 N表示），表示已注册的标记。
第三部分：登记号（用数字表示），表示此型号在美国电子工业协会（EIA）的登记号。
第四部分：规格号（用字母表示），表示同型号的器件不同分挡。
（3）欧洲国家晶体二极管的型号命名主要由两部分组成，如表1-2所示，依次分别代表材料、类型及特性。
表1-2 欧洲国家晶体二极管型号命名方法
3 什么是晶体三极管？
晶体三极管通常简称为晶体管或三极管，是一种具有三个控制电子运动功能电极的半导体器件，它具有放大和开关等作用。基极电流微小的变化能引起集电极电流较大的变化，利用三极管的这种特性，可作为电子开关使用，配合其他元器件还可以构成振荡器。晶体三极管在电路中常用VT（或T、V、Q、BC）加数字表示，其外形与电路符号如图1-2所示。
图1-2 晶体三极管外形与电路符号
1+1点拨：
三极管，顾名思义，具有三个电极。二极管是由一个PN结构成的，而三极管由两个PN结构成，共用的一个电极称为三极管的基极（用字母b表示），其他的两个电极称为集电极（用字母c表示）和发射极（用字母e表示）。由于不同的组合方式，形成了一种是NPN型的三极管，另一种是PNP型的三极管。
4 晶体三极管型号如何命名？
各国晶体三极管的型号命名不同，其命名方法如下。
（1）国产晶体三极管的型号由四部分组成，其型号命名方法如表1-3所示。
表1-3 国产晶体三极管型号命名方法
第一部分：电极数（用数字表示），表示晶体三极管的有效电极数目。
第二部分：材料和极性（用字母表示），表示晶体三极管的材料和极性。
第三部分：类型（用字母表示），表示晶体三极管的用途和类型。
第四部分：序号和规格（用数字和字母表示），表示晶体三极管的序号和规格。
（2）日本晶体三极管的型号由四部分组成。
第一部分：PN结个数（用数字2表示），表示晶体三极管有两个PN结。
第二部分：日本电子工业协会（JEIA）注册标志（用字母 S表示），表示已注册的标记。
第三部分：极性和类型（用字母表示），表示管子的极性和类型，其中，通常A、B表示PNP型管，C、D表示NPN型管，A、C表示高频管， B、D表示低频管。但也有例外的特殊情况，使用时应予以注意。
第四部分：登记号（用两位以上的数字表示），表示此型号在日本电子工业协会（JEIA）的登记号。一般来讲，数字越大，越是近期产品。但对于连号的管子，其性能不一定完全相似。另外，数字后若带有英文字母，则表示是原型号的改进产品。
（3）美国晶体三极管的型号命名方法。美国生产的晶体三极管型号命名方法与日本类似。其特点是用2N开头，2也表示两个PN结，N表示美国电子工业协会（EIA）注册标志，型号的第三部分与日本不同，不表示极性和类型，而与日本晶体三极管第四部分相同，用数字表示注册登记号。美国型号比日本型号简单，因而型号中不能反映出管子的硅、锗材料，PNP和NPN极性，高、低频管和特性，只能从2N开头的型号上识别出是美国生产或其他国生产美国型号的晶体三极管。
（4）欧洲晶体三极管型号的命名方法。欧洲的许多国家命名晶体三极管型号的方法均相差不大。其型号都是直接用字母A、B开头（A表示锗管，B表示硅管），在第二部分字母中用C、D表示低频管，F、L表示高频管（C、F为小功率管，D、L为大功率管），用S与U分别表示小功率开关管与大功率开关管。型号的第三部分用三位数表示登记序列号。
除上述晶体三极管的命名方法外，韩国三星电子公司生产的晶体三极管以四位数字来表示型号（如8050、8550、9011、9018），目前在我国市场上也较为多见。
5 什么是场效应晶体管？
场效应晶体管（FieldEffectTransistor，FET）简称场效应管，如图1-3所示，是一种利用电场效应来控制电流大小的半导体器件。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。场效应晶体管具有输入电阻高、噪声功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿和安全工作区域宽等优点，可作为可变电阻、恒流器、电子开关等使用。
图1-3 场效应晶体管外形及电路符号
1+1点拨：
场效应晶体管有三个极性，即栅极G（Gate，相当于双极型三极管的基极）、漏极 D（Drain，相当于双极型三极管的集电极）、源极（Source，相当于双极型三极管的发射极）。
6 场效应晶体管型号如何命名？
各国场效应晶体管的型号命名不同，其命名方法如下。
（1）国产场效应晶体管型号由三部分组成。
第一部分：类型（用字母表示），表示半导体器件的类型。CS表示场效应晶体管；BT表示半导体特殊器件；FH表示复合管。
第二部分：序号（用数字表示），表示场效应晶体管的序号。
第三部分：规格（用字母表示），表示同一型号中的不同规格。
（2）美国场效应晶体管型号由四部分组成，其型号命名方法如表1-4所示。
表1-4 美国场效应晶体管型号命名方法
第一部分：类别（用数字表示），表示场效应晶体管的类别。
第二部分：注册标志（用字母表示），表示该产品在美国电子工业协会（EIA）已注册的标记。
第三部分：登记号（用数字表示），表示该产品在美国电子工业协会（EIA）的登记号。
第四部分：规格号（用字母表示），表示同型号的器件不同分挡。
（3）日本场效应晶体管型号由五部分组成，其型号命名方法如表1-5所示。
表1-5 日本场效应晶体管型号命名方法
第一部分：类型及有效电极数（用数字表示），表示场效应晶体管类型及有效电极数。
第二部分：注册标志（用字母表示），表示该器件在日本电子工业协会（JEIA）已注册。
第三部分：类别（用字母表示），表示场效应晶体管的用途和类别。
第四部分：登记号（用数字表示），表示场效应晶体管在日本电子工业协会（JEIA）登记顺序号。
第五部分：改进序号（用字母表示），表示场效应晶体管产品改进序号。
7 什么是晶闸管？
晶闸管国际通用名称为 Thyristor，又称晶体闸流管，如图1-4所示，全称为硅可控整流元器件。它是由硅半导体材料制作而成的硅晶体闸流管，是一种大功率开关型半导体器件，它的外形封装多酷似三极管，也有三个引脚电极，即阳极（A）、阴极（K）和门极（G）。晶闸管具有硅晶闸管整流器件的特性，能在高电压、大电流状态下工作，且其工作过程可以控制，被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。晶闸管常用符号V、VT表示。
图1-4 晶闸管外形及电路符号
1+1点拨：
晶闸管既可以在低电压（几伏或几十伏）、小电流（几百毫安以下）的条件下工作，也可以在高电压（几千伏）、大电流（几千安）的条件下工作。它可以使半导体器件从弱电领域进入到强电领域，目前晶闸管元器件在电力、电子自动控制电路中得到了广泛的应用。
8 晶闸管型号如何命名？
各国晶闸管的型号命名不同，其命名方法如下。
（1）国产晶闸管型号的命名主要由四部分组成，其型号命名方法如表1-6所示。
表1-6 国产晶闸管型号命名方法
第一部分：主称（用字母表示），表示主称为晶闸管。
第二部分：类别（用字母表示），表示晶闸管的类别。
第三部分：额定通态电流值（用数字表示），表示晶闸管的额定通态电流值。
第四部分：重复峰值电压级数（用数字表示），表示晶闸管重复峰值电压级数。
（2）日本晶闸管型号的命名主要由五至七部分组成，通常采用前五部分。
第一部分：有效电极数或类型（用数字表示）。
第二部分：注册标志（用字母表示），表示该器件已在日本电子工业协会（JEIA）中注册。
第三部分：材料和类型（用字母表示），表示该器件使用材料极性和类型。例如，F表示P控制极晶闸管；G表示N控制极晶闸管；M表示双向晶闸管。
第四部分：登记号（用数字表示），表示该器件在日本电子工业协会（JEIA）中登记的顺序号。
第五部分：改进序号（用字母表示），表示同型号的改进型产品标志，如A、B、C…表示该晶闸管是原型号的改进产品。
（3）美国晶闸管型号的命名主要由五部分组成。
第一部分：类型（用符号表示），表示器件用途的类型。
第二部分：PN结数（用数字表示），表示PN结数目。
第三部分：注册标志（用字母表示），表示该器件在美国电子工业协会（EIA）中已注册。
第四部分：登记号（用数字表示），表示该器件在美国电子工业协会（EIA）中登记的顺序号。
第五部分：类型分挡（用字母表示），表示同一型号的器件不同分挡。
（4）国际电子联合会晶闸管型号的命名方法：欧洲及东欧国家，一般采用国际电子联合会晶闸管的型号命名方法，主要由四部分组成。
第一部分：材料（用字母表示），表示器件使用的材料。
第二部分：类型（用字母表示），表示器件的类型及主要特征。
第三部分：登记号（用数字或字母加数字表示），表示该器件在国际电子联合会中登记的顺序号。
第四部分：类型分挡（用字母表示），表示同一型号的器件不同分挡。
除四个基本部分外，有时还加后缀，以区分特性或进一步分类。晶闸管型号常见的后缀是数字，通常标出最大反向峰值耐压和最大反向关断电压中数值较小的那个电压值。
9 什么是集成电路？
集成电路又称集成块（IntegratedCircuit，IC），是在电子管、晶体管的基础上发展起来的一种电子器件，即在同一块半导体材料上，采用一定的工艺，将一个电路中所需的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等组件及布线连接在一起，制作在一块半导体单晶片（如硅或砷化镓）上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构，形成一个完整的电路，且整个电路的体积大大缩小，引出线和焊接点的数目也大为减少，从而使电子组件向着微型化、小型化、低功耗和高可靠性方面迈进了一大步。
在电路中用字母IC（或用文字符号N）表示。集成电路外形有圆形、扁平方形和扁平三角形等。如图1-5所示为集成电路的外形及电路符号。
图1-5 集成电路的外形及电路符号
1+1点拨：
集成电路的封装主要有金属、陶瓷和塑料三种。其中，圆形结构的集成电路一般采用金属封装，扁平形直插式结构的集成电路一般采用陶瓷或塑料封装。目前使用的集成电路多为扁平形。集成电路的引脚有多列直插式和单列直插式两种。各种不同用途的集成电路其引出脚数目不等，这些引脚的排列次序都有一定的规律，且通常有色点、凹槽和管键等标记。
10 集成电路型号如何命名？
各国集成电路的型号命名不同，其命名方法如下。
1.国家标准（GB3431a—82）集成电路型号的命名方法
国家标准（GB3431a—82）集成电路的型号由五部分组成，其型号命名方法如表1-7所示。
表1-7 国家标准（GB3431a—82）集成电路型号的命名方法
第一部分：中国制造（用字母C表示），表示该集成电路为中国制造，符合国家标准。
第二部分：器件类型（用字母表示），表示集成电路类型。
第三部分：器件系列和代号（用数字表示），表示集成电路系列和代号。
第四部分：工作温度范围（用字母表示），表示集成电路温度范围。
第五部分：器件封装形式（用字母表示），表示集成电路的封装形式。
2.国家标准（GB3430—89）集成电路型号的命名方法
国家标准（GB3430—89）集成电路的型号由五部分组成，其型号命名方法如表1-8表示。
表1-8 国家标准（GB3430—89）集成电路型号的命名方法
第一部分：中国制造（用字母C表示），表示该集成电路为中国制造，符合国家标准。
第二部分：器件类型（用字母表示），表示集成电路类型。
第三部分：器件系列和代号（用数字或数字与字母混合表示），表示集成电路的系列和品种代号。
第四部分：工作温度范围（用字母表示），表示集成电路温度范围。
第五部分：器件封装形式（用字母表示），表示集成电路的封装形式。
3.国外集成电路型号的命名方法
国外集成电路型号尚无统一标准，各制造厂商都有自己的一套命名方法。下面举出一部分国内市场上常见的集成电路型号命名方法。
1）美国先进微器件公司（AMD）集成电路型号的命名方法
美国先进微器件公司（AMD）集成电路的型号由五部分组成，其型号命名方法如表1-9所示。
表1-9 美国先进微器件公司（AMD）集成电路型号的命名方法
续表
第一部分：AMD首标（用字母AM表示），表示该集成电路为美国先进微器件公司制造。
第二部分：器件类型（用字母或数字表示），表示集成电路类型。
第三部分：器件封装形式（用字母表示），表示集成电路的封装形式。
第四部分：分挡和工作温度范围（用字母表示），表示集成电路分挡和温度范围。
第五部分：类别（用字母表示），表示集成电路的类别。
2）美国模拟器件公司（ANA）集成电路型号的命名方法
美国模拟器件公司（ANA）集成电路的型号由六部分组成，其型号命名方法如表1-10所示。
表1-10 美国模拟器件公司（ANA）集成电路型号的命名方法
第一部分：ANA首标（用字母表示），表示该集成电路为美国模拟器件公司制造。
第二部分：器件类型（用数字表示），表示集成电路类型。
第三部分：器件类别（用字母表示），表示集成电路的类别。
第四部分：工作温度范围（用字母表示），表示集成电路温度范围。
第五部分：器件封装形式（用字母表示），表示集成电路封装形式。
第六部分：工艺级别（用数字加字母表示），表示集成电路工艺级别。
3）美国仙童公司（FSC）集成电路型号的命名方法
美国仙童公司（FSC）集成电路的型号由四部分组成，其型号命名方法如表1-11所示。
表1-11 美国仙童公司（FSC）集成电路型号的命名方法
第一部分：FSC首标（用字母表示），表示该集成电路为美国仙童公司制造。
第二部分：器件类型（用数字表示），表示集成电路类型。
第三部分：器件封装形式（用字母表示），表示集成电路封装形式。
第四部分：分挡和工作温度范围（用字母表示），表示集成电路分挡和温度范围。
备注：该公司与NSC合作，专门生产数字集成电路。除原有的54/74TTL、HTTL、STTL、LSTTL、ASTTL、ALSTTL、FAST等外，还有CMOS的FACT，内含54/74AC、ACT、ACQ、ACTQ、FCT等系列。
4）美国英特尔公司（INL）集成电路型号的命名方法
美国英特尔公司（INL）集成电路的型号由六部分组成，其型号命名方法如表1-12所示。
表1-12 美国英特尔公司（INL）集成电路型号的命名方法
第一部分：器件系列（用字母表示），表示集成电路系列。
第二部分：器件序号（用数字表示），表示集成电路序号。
第三部分：器件特性（用字母表示），表示集成电路特性
第四部分：工作温度范围（用字母表示），表示集成电路温度范围。
第五部分：器件封装形式（用字母表示），表示集成电路封装形式。
第六部分：外引线数（用字母表示），表示集成电路外引线数。
备注：①第二部分：存储器件命名方法：首位数6表示CMOS工艺，7表示MOS工艺；第二位数1表示处理单元，3表示ROM，4表示接口单元， 5表示RAM，6表示PROM；第三位和第四位数表示芯片型号。
② 第六部分：V表示8（引线径0.2英寸）；W表示10（引线径0.23英寸）；Y表示8（引线径0.2英寸，4端与壳接）；Z表示10（引线径0.23英寸，5端与壳接）。
5）美国摩托罗拉公司（MOTA）集成电路型号的命名方法
美国摩托罗拉公司（MOTA）集成电路的型号由三部分组成，其型号命名方法如表1-13所示。
表1-13 美国摩托罗拉公司（MOTA）集成电路型号的命名方法
第一部分：MOTA首标（用字母表示），表示该集成电路由美国摩托罗拉公司（MOTA）制造。
第二部分：器件和工作温度范围（用数字表示），表示集成电路分挡和工作温度范围。
第三部分：器件封装（用字母或字母加数字表示），表示集成电路封装形式。
6）美国微功耗系统公司（MPS）集成电路型号的命名方法
美国微功耗系统公司（MPS）集成电路的型号由四部分组成，其型号命名方法如表1-14所示。
表1-14 美国微功耗系统公司（MPS）集成电路型号的命名方法
第一部分：MPS首标（用字母表示），表示该集成电路由美国微功耗系统公司（MPS）制造。
第二部分：器件编号（用文字和数字表示），表示器件编号。
第三部分：分挡（用字母表示）。
第四部分：器件封装形式（用字母表示），表示集成电路封装形式。
7）美国电子公司（NECE）/日本电气公司（NECJ）集成电路型号的命名方法
美国电子公司（NECE）/日本电气公司（NECJ）集成电路的型号由四部分组成，其型号命名方法如表1-15所示。
表1-15 美国电子公司（NECE）/日本电气公司（NECJ）集成电路型号的命名方法
第一部分：NEC首标（用字母表示），表示该集成电路由美国电子公司（NECE）/日本电气公司（NECJ）制造。
第二部分：器件类型（用字母表示），表示集成电路类型。
第三部分：器件编号（用数字表示），表示集成电路编号。
第四部分：器件封装形式（用字母表示），表示集成电路封装形式。
8）美国国家半导体公司（NSC）集成电路型号的命名方法
美国国家半导体公司（NSC）集成电路的型号由三部分组成，其型号命名方法如表1-16所示。
表1-16 美国国家半导体公司（NSC）集成电路型号的命名方法
第一部分：器件类型（用字母表示），表示集成电路类型。
第二部分：器件分挡和工作温度范围（用数字加字母表示），表示集成电路分挡和温度范围。
第三部分：器件封装形式（用字母表示），表示集成电路封装形式。
9）美国精密单片公司（PMI）集成电路型号的命名方法
美国精密单片公司（PMI）集成电路的型号由四部分组成，其型号命名方法如表1-17所示。
表1-17 美国精密单片公司（PMI）集成电路型号的命名方法
第一部分：器件类型（用字母表示），表示集成电路类型。
第二部分：器件编号（用数字表示），表示集成电路编号。
第三部分：电特性等级（用字母表示），表示集成电路等级。
第四部分：器件封装形式（用字母表示），表示集成电路封装形式。
10）美国吉劳格公司（ZIL）集成电路型号的命名方法
美国吉劳格公司（ZIL）集成电路的型号由五部分组成，其型号命名方法如表1-18所示。
表1-18 美国吉劳格公司（ZIL）集成电路型号的命名方法
第一部分：ZIL首标（用字母Z表示），表示该集成电路由美国吉劳格公司（ZIL）制造。
第二部分：器件编号（用数字表示），表示集成电路编号。
第三部分：器件速度（用字母表示），表示集成电路速度。
第四部分：器件封装形式（用字母表示），表示集成电路封装形式。
第五部分：工作温度范围（用字母表示），表示集成电路温度范围。
11）美国无线电公司（GE-RCA）集成电路型号的命名方法
美国无线电公司（GE-RCA）集成电路的型号由三部分组成，其型号命名方法如表1-19所示。
表1-19 美国无线电公司（GE-RCA）集成电路型号的命名方法
第一部分：器件类型（用字母表示），表示集成电路类型。
第二部分：器件编号和类别（用数字加字母表示），表示集成电路编号和类别。
第三部分：器件封装形式（用字母表示），表示集成电路封装形式。
12）美国硅通用公司（SGL）集成电路型号的命名方法
美国硅通用公司（SGL）集成电路的型号由四部分组成，其型号命名方法如表1-20所示。
表1-20 美国硅通用公司（SGL）集成电路型号的命名方法
第一部分：SGL首标（用字母SG表示），表示该集成电路由美国硅通用公司（SGL）制造。
第二部分：器件编号（用数字表示），表示集成电路编号。
第三部分：附加说明（用字母表示）。
第四部分：器件封装形式（用字母表示），表示集成电路封装形式。
13）美国西格尼蒂克公司（SIC）集成电路型号的命名方法
美国西格尼蒂克公司（SIC）集成电路的型号由四部分组成，其型号命名方法如表1-21所示。
表1-21 美国西格尼蒂克公司（SIC）集成电路型号的命名方法
第一部分：器件工作温度范围（用字母或数字表示），表示集成电路温度范围。
第二部分：器件编号（用数字表示），表示集成电路编号。
第三部分：器件封装形式（用字母表示），表示集成电路封装形式。
第四部分：外引线数（用字母表示），表示集成电路外引线数。
14）日本东芝公司（TOSJ）集成电路型号的命名方法
日本东芝公司（TOSJ）集成电路的型号由三部分组成，其型号命名方法如表1-22所示。
表1-22 日本东芝公司（TOSJ）集成电路型号的命名方法
第一部分：器件类型（用字母表示），表示集成电路类型。
第二部分：器件编号（用数字表示），表示集成电路编号。
第三部分：器件封装形式（用字母表示），表示集成电路封装形式。
15）日本松下电气公司（MATJ）集成电路型号的命名方法
日本松下电气公司（MATJ）集成电路的型号由两部分组成，其型号命名方法如下：
第一部分：首标（用字母表示），表示集成电路系列。其中，AN表示模拟IC；DN表示双极数字IC；MJ表示开发型IC；MN表示MOSIC。
第二部分：器件编号（用数字加字母表示）。
16）日本日立公司（HITJ）集成电路型号的命名方法
日本日立公司（HITJ）集成电路的型号由三部分组成，其型号命名方法如表1-23所示。
表1-23 日本日立公司（HITJ）集成电路型号的命名方法
第一部分：器件类型（用字母表示），表示集成电路类型。
第二部分：系列/器件编号（用数字表示），表示集成电路系列/器件编号。
第三部分：器件封装形式（用字母表示），表示集成电路封装形式。
17）集成器件技术公司（IDT）集成电路型号的命名方法
集成器件技术公司（IDT）集成电路的型号由七部分组成，其型号命名方法如表1-24所示。
表1-24 集成器件技术公司（IDT）集成电路型号的命名方法
第一部分：IDT首标（用字母表示），表示该集成电路由集成器件技术公司（IDT）制造。
第二部分：器件类型（用数字表示），表示集成电路类型。
第三部分：器件编号（用数字表示），表示集成电路编号。
第四部分：功耗（用字母表示），表示集成电路功耗。
第五部分：速度（用数字表示），表示集成电路速度。
第六部分：器件封装形式（用字母表示），表示集成电路封装形式。
第七部分：工作温度范围和工艺级别（用字母表示），表示集成电路温度范围和工艺级别。
18）荷兰飞利浦公司（PHIN）集成电路型号的命名方法
荷兰飞利浦公司（PHIN）集成电路的型号由五部分组成，其型号命名方法如表1-25所示。
表1-25 荷兰飞利浦公司（PHIN）集成电路型号的命名方法
第一部分：器件类型（用字母表示），表示集成电路类型。
第二部分：温度范围（用字母表示），表示集成电路温度范围。
第三部分：器件编号（用数字表示），表示集成电路编号。
第四部分：器件类别和封装（用字母表示），表示集成电路类别和封装。
第五部分：集成电路封装材料及形式（用字母表示）。
11 什么是电阻器？
电阻器简称电阻（如图1-6所示），是一种在电路中对电流产生阻力和功耗的元器件，是电气、电子设备中使用最广泛的基本元器件之一。在电路中，电阻器的主要作用是控制电压和电流（即起降压、分压、分流、隔离、匹配和信号幅度调节作用）及与其他元器件配合，组成耦合、滤波、反馈、补偿等各种不同功能的电路。电阻用字母R表示，电阻的单位是欧姆（ohm），简称欧，符号是Ω（希腊字母，读作 Omega），还有较大的单位为千欧（符号 kΩ）和兆欧（符号MΩ）。
图1-6 电阻器外形及电路符号
1+1点拨：
电阻的另一个基本参数是功率，用来表示电阻能承受的最大电流，单位为瓦特，简称瓦，用符号W表示，通常功率有1/16W、1/8W、1/4W、1/2W、1W、2W、3W等。电路图中对电阻器功率的要求，有的直接标出数值，也有的用符号表示，如图1-7所示。当超过所能承受的功率时，将烧坏电阻。
图1-7 电阻功率表示法
在电路中常用到0Ω电阻，该类电阻在电路中没有任何功能，只是在PCB上为了调试方便或兼容设计等原因。同时可以做跳线用，如果某段线路不用，直接不贴该电阻即可，方便安装。
12 电阻器型号如何命名？
国产电阻器的型号由四部分组成（不适用敏感电阻），其型号命名方法如表1-26所示。
表1-26 电阻器的型号命名方法
第一部分：主称（用字母表示），表示产品的名字。
第二部分：材料（用字母表示），表示电阻体用什么材料组成。
第三部分：分类（一般用数字表示，个别类型用字母表示），表示产品属于什么类型。
第四部分：序号（用数字表示），表示同类产品中不同品种，以区分产品的外形尺寸和性能指标等。
13 什么是电容器？
电容器简称电容（如图1-8所示），它是一种能储存电荷的容器，由于电荷的储存意味着能的储存，因此也可说电容器是一个储能元器件，确切地说是储存电能。电容是由两片靠得较近的金属片，中间再隔以绝缘物质而组成的。它是组成电子电路的主要元器件，在电子设备中可用于整流器的平滑滤波、电源和退耦、交流信号的旁路、交直流电路的交流耦合，等等。
图1-8 电容器外形及电路符号
电容的符号是C，在国际单位制里，电容的单位是法拉，简称法，符号是F，其他单位还有毫法（mF）、微法（μF）、纳法（nF）、皮法（pF）。由于单位F的容量太大，所以我们看到的一般都是μF、nF、pF的单位。它们之间的换算关系是：1F=1000000μF，1μF=1000nF=1000000pF。
14 电容器型号如何命名？
国产电容器的型号通常由四部分组成（不适用于压敏电容器、可变电容器、真空电容器），如表1-27所示，依次分别代表名称、材料、分类和序号。
表1-27 国产电容器型号命名方法
国外电容器的型号一般由六部分组成，依次分别代表电容器的类型、外形结构、温度特性、耐压值、标称容量、允许偏差。
第一部分：类型（用字母表示），表示电容器的类型，如表1-28所示。
表1-28 国外电容器第一部分的表示法
第二部分：外形结构（用数字表示），表示电容器的结构、封装方式。
第三部分：温度特性（用字母表示），表示电容器的温度特性，如表1-29所示。
表1-29 国外电容器第三部分的表示法
第四部分：耐压值（用字母或数字表示），表示电容器的耐压值，如表1-30所示。
表1-30 国外电容器第四部分的表示法 （单位：V）
第五部分：标称容量（用数字表示），表示电容器的标称容量，如表1-31所示。
表1-31 国外电容器第五部分的表示法
第六部分：允许偏差（用字母表示），表示电容器的偏差，其中G表示±30%的允许偏差；H表示±60%的允许偏差；J表示±120%的允许偏差；K表示±250%的允许偏差。
15 什么是电感器？
电感器又称电感线圈、扼流器、电抗器、动态电抗器，如图1-9所示。当一定数量变化的电流通过线圈时，线圈会产生感应电动势。其产生感应电动势大小的能力，称为电感量，简称电感。将一根导线绕在铁芯或磁芯上，或者一个空心线圈就是一个电感。电感器是一种非线性元器件，能够把电能转化为磁能而存储起来，也可说它是一个储存磁能的元器件，电感是利用电磁感应的原理进行工作的。电感是组成电路的基本元器件之一，在交流电路中用于阻流、降压、交联耦合，也可作为负载使用。电感与其他元器件（如电容）配合时，可用于调谐、滤波、选频、退耦，等等。
图1-9 电感器外形及电路符号
电感的符号用字母L表示。电感的单位为亨利，简称亨，用字母H表示。比亨小的单位有毫亨（mH）和微亨（μH）等，其换算公式：
1H=1000mH=1000000μ H
1+1点拨：
电感器是用线圈制作的，它的外形有很多种：有的像电阻，有的像晶体二极管，有的一看上去就是线圈。通常来说，像电阻那种电感器能直接读出电感值，因为这种有色环，其他的就没有了。贴片电感器的外形和数字标识型贴片电阻器是一样的。
电感器一般情况下是两个引脚，这是没有抽头的电感器，这两根引脚是不分正、负极性的，可以互换使用。如果电感器有抽头，引脚数目就会大于两根。对于三根引脚的电感，应注意区分头、尾和抽头，不能相互搞错。
16 电感器型号如何命名？
电感器的型号由三部分组成，其型号命名方法如表1-32所示。
表1-32 电感器的型号命名方法
第一部分：主称（用字母表示），表示产品的名字。
第二部分：电感量（用字母与数字混合或数字来表示）。
第三部分：误差范围（用字母表示）。