更新时间：2024-05-11 19:09:49
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前言
第1章 CMOS模拟集成电路设计概述
1.1 CMOS模拟集成电路设计的重要性与挑战
1.2 CMOS模拟集成电路设计流程简介
1.3 如何学好模拟集成电路设计
1.4 必备的shell命令和vi基础
1.5 本章小结
知识点巩固练习题
第2章 CMOS器件与原理图输入
2.1 半导体与CMOS工艺
2.2 MOS管
2.3 CMOS电阻
2.4 CMOS电容
2.5 CMOS电感
2.6 CMOS二极管
2.7 CMOS双极晶体管
2.8 CMOS工艺PDK
2.9 有源负载共源极放大器原理图输入
2.10 Library、Cell和View
2.11 symbol view的自动生成方法
2.12 schematic entry注意事项
2.13 本章小结
第3章 Spice原理与Cadence仿真
3.1 Spice简介
3.2 Spice器件模型
3.3 Spice基本语法举例分析
3.4 Spice文件结构
3.5 静态工作点仿真（.op）与直流扫描仿真（.dc）
3.6 直流二重扫描与MOS管Ⅰ-Ⅴ特性曲线
3.7 瞬态仿真（.tran）
3.8 交流仿真（.ac）和常用波形操作技术
3.9 工艺角仿真和波形显示方法
3.10 温度扫描与带隙参考源入门
3.11 PVT仿真
3.12 蒙特卡罗分析
3.13 噪声原理与噪声分析（.noise）
3.14 Spice仿真收敛问题
3.15 本章小结
第4章 版图基本操作与技巧
4.1 元件例化与单层显示
4.2 打散Pcell分析图层属性
4.3 画矩形和多边形
4.4 移动、复制、旋转与镜像翻转
4.5 拉伸与切割
4.6 精确尺寸与严格对齐
4.7 打孔与跨层画线
4.8 保护环原理与Multipart Path自动画法
4.9 合并与组建cell
4.10 Edit in Place
4.11 版图操作综合练习
4.12 本章小结
第5章 版图设计、验证与后仿真
5.1 版图设计规则
5.2 版图平面规划与布局布线
5.3 CS_stage版图设计
5.4 CS_stage DRC
5.5 CS_stage LVS
5.6 CS_stage RCX/PEX
5.7 CS_stage后仿真
5.8 CS_stage版图的导出与导入
5.9 本章小结
第6章 版图设计的重要问题与优化处理方法
6.1 金属电迁移与电压降
6.2 静电放电
6.3 闩锁效应
6.4 天线效应
6.5 金属密度和多晶硅密度
6.6 浅槽隔离及其扩散区长度效应和扩散区间距效应
6.7 倾斜角度离子注入与阴影效应
6.8 阱邻近效应
6.9 栅间距效应
6.10 版图匹配
6.11 源漏共用与棒图
6.12 版图优化的设计原则与方法
6.13 版图设计的可制造性设计
6.14 本章小结
第7章 IO Pad
7.1 钝化窗口与Bonding
7.2 IO Pad结构
7.3 Pad库
7.4 Padframe
7.5 芯片封装
7.6 本章小结
第8章 差分运算放大器原理与全流程设计案例
8.1 共源极放大器分析基础
8.2 差分运算放大器结构分析
8.3 相位裕度与密勒补偿
8.4 gm、W/L及μnCOX的计算
8.5 运算放大器主要性能指标
8.6 折叠式共源共栅放大器电路设计与仿真
8.7 二级折叠式共源共栅放大器版图设计与后仿真
