第三代半导体材料发展态势分析

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内容简介

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前言

第1章 绪论

1.1 研究背景

1.2 研究内容和方法

1.3 数据来源

1.4 术语解释

1.5 其他说明

第2章 第三代半导体材料相关科技政策

2.1 美国第三代半导体材料相关科技政策

2.2 欧洲第三代半导体材料相关科技政策

2.3 日本第三代半导体材料相关科技政策

2.4 韩国第三代半导体材料相关科技政策

2.5 中国第三代半导体材料相关科技政策

第3章 碳化硅半导体材料

3.1 碳化硅半导体材料研究背景

3.2 碳化硅半导体材料专利分析

3.3 碳化硅半导体材料专利主题分析

3.4 碳化硅半导体材料专利被引科学文献分析

3.5 碳化硅半导体材料小结

第4章 氮化镓半导体材料

4.1 氮化镓半导体材料研究背景

4.2 氮化镓半导体材料专利分析

4.3 氮化镓半导体材料专利主题分析

4.4 氮化镓半导体材料专利被引科学文献分析

4.5 氮化镓半导体材料小结

第5章 氮化铝半导体材料

5.1 氮化铝半导体材料研究背景

5.2 氮化铝半导体材料专利分析

5.3 氮化铝半导体材料小结

第6章 氧化锌半导体材料

6.1 氧化锌半导体材料研究背景

6.2 氧化锌半导体材料专利分析

6.3 氧化锌半导体材料小结

第7章 金刚石半导体材料

7.1 金刚石半导体材料研究背景

7.2 金刚石半导体材料专利分析

7.3 金刚石半导体材料小结

第8章 结论及建议

8.1 发展态势总结

8.2 存在问题

8.3 对策建议

参考文献