更新时间：2018-12-27 19:17:39
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前言
主要符号参数
第1章 异质结基本概念
1.1 异质结基本概念
1.2 异质结基本关系式
1.3 能带带阶的交换性和传递性
1.4 反型异质结的主要公式
1.5 同型异质结的主要公式
第2章 异质结电学特性
2.1 突变反型异质结
2.2 反型异质结的注入特性
2.3 突变同型异质结
2.4 突变异质结电容和电压特性
第3章 异质结能带图
3.1 突变反型异质结能带图
3.2 突变同型异质结能带图
3.3 受界面态影响的能带图
3.4 缓变异质结能带图
第4章 异质结光电特性
4.1 反型异质结光电特性
4.2 同型异质结光电特性
4.3 发光辐射跃迁
第5章 异质结制备
5.1 晶体结构
5.2 基本考虑
5.3 制备方法
第6章 位错与弹性应变
6.1 位错的概念
6.2 位错的运动
6.3 位错的弹性应变和应力
6.4 实际晶体结构的位错
6.5 位错的实验观测
第7章 宽带隙半导体材料
7.1 SiC半导体
7.2 Ⅲ族氮化物半导体
7.3 Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体
第8章 异质结激光器
8.1 异质结在激光器中的主要作用
8.2 激光器的材料
8.3 激光器的模式和波导
8.4 激光器的结构
8.5 激光器的可靠性
第9章 超晶格与多量子阱
9.1 基本概念
9.2 量子阱和超晶格的电子状态
9.3 量子阱和超晶格的光学特性
9.4 量子阱激光器
9.5 应变量子阱激光器
9.6 新型量子阱激光器
第10章 半导体发光二极管
10.1 半导体LED的工作原理
10.2 半导体LED的基本结构
10.3 LED的电学特性
10.4 半导体LED的光学性质
10.5 提高LED内量子效率的措施
10.6 提高LED光逸出效率的措施
10.7 不同材料系的LED
10.8 高亮度LED
10.9 白光LED
10.10 有谐振腔的发光二极管（RCLED）
10.11 光通信用的LED
10.12 边发射超辐射LED
第11章 半导体光检测器
11.1 半导体光检测器的基本参数
11.2 半导体光电导型光检测器
11.3 pn结光电二极管
11.4 pin光电二极管
11.5 雪崩光电二极管（APD）
11.6 特殊光电检测器
11.7 量子结构红外光探测器
第12章 Ⅳ族元素合金应变异质结
12.1 引言
12.2 应变Si1-xGex/Si的基本性质
12.3 Si1-xGex/Si异质结的电子学性质
12.4 Si1-xGex应变层的外延生长
12.5 Si1-xGex薄层生长技术
12.6 SiGe合金层的掺杂
12.7 Si1-xGex的金属欧姆接触
12.8 Ⅳ族元素二元、三元合金的生长
12.9 Si1-xGex/Si异质结的光电子学应用
第13章 半导体太阳能电池
13.1 前言
13.2 太阳光谱与太阳常数
13.3 同质结太阳能电池
13.4 太阳能电池的性能参数
13.5 太阳能电池的材料选择和设计考虑
13.6 异质结太阳能电池
13.7 级联（多带隙结）太阳能电池
13.8 量子阱太阳能电池
13.9 Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体和无定形Si薄膜太阳能电池
13.10 带聚光器的太阳能电池[7]
第14章 梯度带隙半导体
14.1 引言
14.2 梯度带隙半导体中的准电场和准磁场
14.3 梯度带隙半导体的物理特征
14.4 梯度带隙半导体的光学性质
14.5 梯度带隙半导体中载流子注入的特点
14.6 化合物半导体中不同能谷间的跃迁
